Эффект воздействия n- и p-типа проводимости подложки Si(100) с буферным слоем SiC на механизм роста и структуру эпитаксиальных слоев полуполярных AlN и GaN
Бессолов В.Н.1,2, Гращенко A.С.1, Koненкова E.В.1,2, Мясоедов A.В.2, Oсипов A.В.1,3, Редьков A.В.1, Родин С.Н.2, Рубец В.П.4, Кукушкин С.A.1,3
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
Email: sergey.a.kukushkin@gmail.com
Выставление онлайн: 19 сентября 2015 г.
Обнаружен новый эффект влияния типа легирования подложки Si(100) с пленкой SiC на механизм роста и структуру эпитаксиальных слоев AlN и GaN. Экспериментально показано, что механизм роста слоев AlN и GaN на поверхности эпитаксиального SiC, синтезированного методом замещения атомов на подложках Si n- и p-типа проводимости, принципиально различен. Обнаружено, что на поверхности SiC/Si(100) полуполярные слои AlN и GaN растут в эпитаксиальной структуре на подложке p-Si и в поликристаллической - на n-Si. Предложен новый метод синтеза эпитаксиальных полуполярных слоев AlN и GaN методом хлоридно-гидридной эпитаксии на кремниевой подложке. В.Н. Бессолов, A.С. Гращенко, E.В. Koненкова, A.В. Oсипов, A.В. Редьков, С.A. Кукушкин благодарят за финансовую поддержку Российский научный фонд (грант N 14-12-01102).
- Y. Zhao, Q. Yan, D. Feezell, K. Fujito, Ch.G. Van de Walle, J.S. Speck, S.P. DenBaars, S. Nakamura. Opt. Express 21, A53 (2013)
- M.C. Schmidt, K.-Ch. Kim, H. Sato, N. Fellows, H. Masui, S. Nakamura, S.P. DenBaars, J.S. Speck. Jpn. J. Appl. Phys. 46, L190 (2007)
- V.N. Bessolov, E.V. Konenkova, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, S.N. Rodin. Rev. Adv. Mater. Sci. 38, 75 (2014)
- V.N. Bessolov, E.V. Konenkova, S.A. Kukushkin, A.V. Myasoedov, S.N. Rodin, A.V. Osipov, M.P. Shcheglov. Mater. Phys. Mech. 21, 71 (2014)
- A. Dadgar. Phys. Status Solidi B, 252, 1063 (2015)
- В.Н. Бессолов, Е.В. Коненкова, С.А. Кукушкин, А.В. Лукьянов, А.В. Осипов. Патент N 254046. Приоритет 09.08.2013 г.
- S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D: Appl. Phys. 47, 313 001 (2014)
- С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов. ФТТ 56, 1457 (2014)
- В.Н. Бессолов, Ю.В. Жиляев, Е.В. Коненкова, Н.К. Полетаев, Ш. Шарофидинов, М.П. Щеглов. Письма в ЖТФ 38, 21 (2012)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
