Кинетика роста графеновых и графитовых пленок на поверхности (10(1)0)Re
Рутьков Е.В.1, Галль Н.Р.1, Потехина Н.Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: gall@ms.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 3 декабря 2013 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2014 г.
Исследована кинетика роста графеновых и графитовых слоев на поверхности насыщенного углеродом рения. Получено хорошее согласие данных эксперимента с результатами математического анализа диффузионных процессов в объеме металла с участием атомов углерода с последующим выделением его на поверхности. Установлено, что в области температур 1300-1500 K можно выращивать графеновые слои на металле строго заданной толщины в диапазоне 1-50 слоев.
- А.К. Гейм. УФН 181, 1284 (2011)
- К.С. Новоселов. УФН 181, 1299 (2011)
- A.Ya. Tontegode. Progr. Surf. Sci. 38, 201 (1991)
- Y. Hernandez, V. Nicolosi, M. Lotya, F.M. Blighe, Z. Sun, S. De, I.T. McGovern, B. Holland, M. Byrne, Y.K. Gun'ko, J.J. Boland, P. Niraj, G. Duesberg, S. Krishnamurthy, R. Goodhue, J. Hutchison, V. Scardaci, A.C. Ferrari, J.N. Coleman. Nature Nanotechnol. 3, 563 (2008)
- J.T. Grant, T.W. Haas. Surf. Sci. 21, 76 (1970)
- A. Nagashima, K. Nuka, H. Itou, T. Ichinokawa, C. Oshima, S. Otani. Surf. Sci. 291, 93 (1993)
- I. Forbeaux, J.-M. Themlin, J.-M. Debever. Phys. Rev. В 58, 16 396 (1998)
- A.M. Affoune, B.L.V. Prasad, H. Sato, T. Enoki, Y. Kaburagi, Y. Hishiyama. Chem. Phys. Lett. 348, 17 (2001)
- K. Harigaya, T. Enoki. Chem. Phys. Lett. 351, 128 (2002)
- N.R. Gall, E.V. Rut'kov, A.Ya. Tontegode. Int. J. Mod. Phys. B 11, 1865 (1997)
- E.V. Rut'kov, N.R. Gall. In: Physics and Applications of Graphene --- Experiments. Intech Open Access Publ. (2011). Ch. 11. P. 209--292
- Н.Р. Галль, С.Н. Михайлов, Е.В. Рутьков, А.Я. Тонтегоде. ЖТФ 56, 4, 732 (1986).
- З. Вакар, Н.Р. Галль, И.В. Макаренко, Е.В. Рутьков, А.Н. Титков, А.Я. Тонтегоде, М.М. Усуфов. ФТТ 40, 1570 (1998)
- Е. Фромм, Е. Гебхардт. Газы и углерод в металлах. Металлургия, М. (1980). 712 с
- Е.В. Рутьков, Н.Р. Галль. Письма в ЖЭТФ 98, 375 (2013)
- Е.В. Рутьков, А.Я. Тонтегоде, М.М. Усуфов. Изв. РАН. Сер. физ. 58, 102 (1994)
- Б.И. Болтакс. Диффузия в полупроводниках. Физматгиз, М. (1961). 462 с
- А.И. Райченко. Математическая теория диффузии в приложениях. Наук. думка, Киев (1981). 391 с
- И.С. Градштейн, И.М. Рыжик. Таблицы интегралов, сумм, рядов и произведений. Наука, М. (1971). 1108 с
- Е. Янке, Ф. Эмде. Таблицы функций с формулами и кривыми. ГИТТЛ, М.-Л. (1949). 420 с.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.