UV-спектры образцов, создаваемых вакуумным напылением тонких пленок Sm и Yb на пленки твердого электролита RbAg₄I₅ (300-350 K) толщиной 100-200 nm, содержат полосы сильного поглощения с максимумами в области 4.3 и 5.0 eV. После напыления Sm (~5 nm) ионная проводимость sigma образцов уменьшается с sigma₀ до ~0.9sigma₀, а параметр кристаллической решетки SE с 11.24 Angstrem до ~11.15 Angstrem. Полуширина рентгеновских отражений при этом возрастает с 0.5^o до 0.8^o. Дальнейший рост концентрации Sm в образцах изменяет картину рентгеновской дифракции. При этом увеличивается поглощение в области полос 4.3 и 5.0 eV, возникает новый край поглощения 3.8 eV, а sigma уменьшается до ~ 10^-2sigma₀. Предпологается существование генетической связи между UV-полосами сильного поглощения в высокодефектных серебро-галоидах системы RbAg₄I₅-Sm(Yb) и электронными переходами 4d¹⁰->4d⁹5s в свободных ионах Ag⁺.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.