Вышедшие номера
UV-поглощение тонкопленочных систем RbAg4I5--RE (Sm, Yb)
Деспотули А.Л.1, Матвеева Л.А.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия
Email: despot@ipmt-hpm.ac.ru
Поступила в редакцию: 15 мая 1998 г.
Выставление онлайн: 20 января 1999 г.

UV-спектры образцов, создаваемых вакуумным напылением тонких пленок Sm и Yb на пленки твердого электролита RbAg4I5 (300-350 K) толщиной 100-200 nm, содержат полосы сильного поглощения с максимумами в области 4.3 и 5.0 eV. После напыления Sm (~5 nm) ионная проводимость sigma образцов уменьшается с sigma0 до ~0.9sigma0, а параметр кристаллической решетки SE с 11.24 Angstrem до ~11.15 Angstrem. Полуширина рентгеновских отражений при этом возрастает с 0.5o до 0.8o. Дальнейший рост концентрации Sm в образцах изменяет картину рентгеновской дифракции. При этом увеличивается поглощение в области полос 4.3 и 5.0 eV, возникает новый край поглощения 3.8 eV, а sigma уменьшается до ~ 10-2sigma0. Предпологается существование генетической связи между UV-полосами сильного поглощения в высокодефектных серебро-галоидах системы RbAg4I5-Sm(Yb) и электронными переходами 4d10->4d95s в свободных ионах Ag+.
  1. B.B. Owens, J.K. Argue. Science 157, 3786, 308 (1967)
  2. J.N. Bradley, P.D. Greene. Trans. Faraday Soc. 63, 424 (1967)
  3. S. Geller. Science 157, 3786, 310 (1967)
  4. Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела. Наука, М. (1978). 792 с
  5. А.Л. Деспотули, Н.В. Личкова, Ф.И. Кукоз, В.Н. Загороднев. ФТТ 26, 8, 2214 (1984)
  6. В.Н. Загороднев, Н.В. Личкова, Е.Б. Якимов. Изв. АН СССР. Сер. Неорг. матер. 23, 9, 1538 (1986)
  7. А.Л. Деспотули. Информ. бюл. РФФИ 3, 51 (1995)
  8. А.Л. Деспотули, Л.А. Деспотули. Сб. результатов МНТП России "Физика твердотельных наноструктур". ФИАН, М. (1996). 207 с
  9. А.Л. Деспотули, Л.А. Деспотули. ФТТ 39, 9, 1544 (1997)
  10. А.Л. Деспотули. Инициативный проект. РФФИ N 98-03-32739a (1997)
  11. L. Bonpunt, Y. Obaid, Y. Haget. J. Appl. Crystallogr. 10, 3, 203 (1977)
  12. R.S. Bauer, B.A. Huberman. Phys. Rev. B13, 8, 3344 (1976)
  13. А.В. Борис, С.И. Бредихин, Н.Н. Ковалева, Н.В. Личкова. ФТТ 31, 4, 47 (1989)
  14. S. Radhakrishna, K. Hariharan, M.S. Jagadeesh. J. Appl. Phys. 50, 7, 4883 (1979)
  15. K. Hariharan. J. Phys. D. Appl. Phys. 12, 11, 1909 (1979)
  16. М.М. Афанасьев, В.Г. Гоффман, М.Е. Компан. ЖЭТФ 84, 4, 1310 (1983)
  17. S. Shandra, V.K. Mohabey. J. Phys. D: Appl. Phys. 8, 576 (1975)
  18. В.Н. Андреев, В.Г. Гоффман. ФТТ 25, 11, 3480 (1983)
  19. И.Х. Акопян, Б.В. Новиков, Т.А. Павлова, С.А. Соболева. ФТТ 38, 8, 2406 (1996)
  20. J.M. Conway, D.A. Greenwood, J.A. Krumhansl, W. Martienssen. J. Phys. Chem. Sol. 24, 2, 239 (1963)
  21. F. Zeitz. Rev. Mod. Phys. 23, 4, 328 (1951)
  22. K. Fussgaenger, W. Martienssen, H. Bilz. Phys. Stat. Sol. 12, 1, 383 (1965)
  23. W. Dultz. Phys. Stat. Sol. 34, 1, 95 (1969)
  24. K. Fussgaenger. Phys. Stat. Sol. 34, 1, 157 (1969)
  25. Н.Е. Лущик, Ч.Б. Лущик. Опт. и спектр. 8, 6, 839 (1960)
  26. Н.Е. Лущик, Т.А. Кукетаев. Опт. и спектр. 25, 6, 889 (1968)
  27. Н.Н. Кристофель. Теория примесных центров малых радиусов в ионных кристаллах. Наука, М. (1974). 336 с
  28. S. Emura, S. Masunaga. Phys. Rev. B49, 2, 849 (1994)
  29. F. Bassani, R.S. Knox, W.B. Fowler. Phys. Rev. 137, 4A, A1217 (1965)
  30. M. Cardona. Phys. Rev. 129, 1, 69 (1963)
  31. H. Takahashi, S. Tamaki, Y. Waseda. Sol. Stat. Ionics 31, 55 (1988)
  32. J. Tejeda, N.J. Shevchik, W. Braun, A. Goldmann, M. Cardona. Phys. Rev. B12, 4, 1557 (1975)
  33. M. Ostrov, A. Goldmann. Phys. Stat. Sol. 95b, 2, 509 (1979)
  34. R.S. Bauer, W.E. Spicer. Phys. Rev. Lett. 25, 18, 1283 (1970)
  35. M.G. Mason. Phys. Rev. B11, 12, 5094 (1975)
  36. В.К. Егоров, А.П. Зуев, Б.А. Малюков. Изв. вузов. Цв. металлургия. 5, 54 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.