Исследована электролюминесценция аморфного гидрогенизированного кремния, легированного эрбием, a-Si : H<Er>. Обнаружено, что интенсивность электролюминесценции на длине волны lambda=1.54 mum, соответствующей переходу ⁴I_13/2->⁴I_15/2 во внутренней 4f-оболочке иона эрбия Er³⁺, имеет максимум вблизи комнатной температуры. Необычная температурная и полевая зависимости электролюминесценции указывают на то, что в электрическом поле происходит многофононная туннельная эмиссия электронов с глубоких центров. Электролюминесценция ионов Er³⁺ возникает в результате возбуждения ионов при захвате электронов из зоны проводимости нейтральными оборванными связями (D⁰-центрами), образующимися при введении эрбия в аморфную матрицу. В результате этого оже-процесса центр из нейтрального состояния D⁰ переходит в отрицательно заряженное состояние D^-, а энергия, выделяющаяся при захвате, передается посредством кулоновского взаимодействия в 4f-оболочку иона эрбия. Стационарный ток через электролюминесцентную структуру поддерживается обратным процессом туннельной многофононной эмиссии электрона с D^--центра в зону проводимости. Предложенная теоретическая модель находится в согласии с экспериментальными результатами.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.