Издателям
Вышедшие номера
Сравнение эффективности пассивации поверхности GaAs из растворов сульфидов натрия и аммония
Бессолов В.Н.1, Коненкова Е.В.1, Лебедев М.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 8 апреля 1996 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1996 г.

Для выяснения возможности повышения эффективности как химической, так и электронной пассивации исследовались свойства поверхности GaAs, сульфидированной растворами неорганических сульфидов (Na2S и (NH4)2S ) в различных амфипротонных растворителях (вода, спирты). Методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и фотолюминесценции показано, что эффективность как химической, так и электронной пассивации поверхности GaAs возрастает с уменьшением диэлектрической проницаемости используемого растворителя. Степень этого возрастания в растворах сульфида сильного основания (Na2S) выше, чем в растворах сульфида слабого основания ((NH4)2S ).
  • C.J. Sandroff, R.N. Nottenburg, J.-C. Bischoff, R. Bhat. Appl. Phys. Lett. 51, 1, 33 (1987)
  • В.Н. Бессолов, А.Ф. Иванков, Е.В. Коненкова, М.В. Лебедев. Письма в ЖТФ 21, 1, 46 (1995)
  • В.Н. Бессолов, Е.В. Коненкова, М.В. Лебедев. ФТТ 38, 9, 2656 (1996)
  • M.S. Carpenter, M.R. Melloch, B.A. Cowans, Z. Dardas, W.N. Delgass. J. Vac. Sci. Technol. B7, 4, 845 (1989)
  • В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев, Е.Б. Новиков. ФТТ 35, 3, 653 (1993)
  • В.Н. Бессолов, А.Ф. Иванков, М.В. Лебедев. ФТТ 38, 2, 563 (1996)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.