Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Сравнение эффективности пассивации поверхности GaAs из растворов сульфидов натрия и аммония
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 8 апреля 1996 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1996 г.
Для выяснения возможности повышения эффективности как химической, так и электронной пассивации исследовались свойства поверхности GaAs, сульфидированной растворами неорганических сульфидов (Na2S и (NH4)2S ) в различных амфипротонных растворителях (вода, спирты). Методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и фотолюминесценции показано, что эффективность как химической, так и электронной пассивации поверхности GaAs возрастает с уменьшением диэлектрической проницаемости используемого растворителя. Степень этого возрастания в растворах сульфида сильного основания (Na2S) выше, чем в растворах сульфида слабого основания ((NH4)2S ).
- C.J. Sandroff, R.N. Nottenburg, J.-C. Bischoff, R. Bhat. Appl. Phys. Lett. 51, 1, 33 (1987)
- В.Н. Бессолов, А.Ф. Иванков, Е.В. Коненкова, М.В. Лебедев. Письма в ЖТФ 21, 1, 46 (1995)
- В.Н. Бессолов, Е.В. Коненкова, М.В. Лебедев. ФТТ 38, 9, 2656 (1996)
- M.S. Carpenter, M.R. Melloch, B.A. Cowans, Z. Dardas, W.N. Delgass. J. Vac. Sci. Technol. B7, 4, 845 (1989)
- В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев, Е.Б. Новиков. ФТТ 35, 3, 653 (1993)
- В.Н. Бессолов, А.Ф. Иванков, М.В. Лебедев. ФТТ 38, 2, 563 (1996)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
