Изучены низкотемпературные (4.2-130 K) спектры фотолюминесценции кристаллов HgI₂ в спектральной области 540-700 nm. На основании анализа свойств (зависимостей интенсивности от температуры и интенсивности возбуждения, времен послесвечения, спектров возбуждения) полос излучения 560, 620 и 635 nm предложена следующая интерпретация: полоса 560 nm обусловлена излучательной аннигиляцией экситонов, локализованных на вакансиях ртути, за излучение в красной области отвечает рекомбинация на заполненный дырками акцепторный уровень свободных (620 nm) и локализованных на донорах (635 nm) электронов. Оценены энергии соответствующих донорных и акцепторных уровней. Обнаружены новые полосы излучения 545, 575 и 540 nm, обсуждена их природа.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.