Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2007, выпуск 7 » Статья стр. 1336
<<<
Прыжковая проводимость и магнитосопротивление наноматериалов на основе фуллерита C2N, синтезированных в условиях высокого давления
Пронин А.А.1, Глушков В.В.1, Кондрин М.В.2, Ляпин А.Г.2, Бражкин В.В.2, Самарин Н.А.1, Демишев С.В.1
1Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
2Институт физики высоких давлений им. Л.Ф. Верещагина РАН, Троицк, Москва, Россия
Email: demis@lt.gpi.ru
Поступила в редакцию: 30 октября 2006 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2007 г.
PDF версия
Для образцов фуллерита C2N, обработанных в условиях высокого давления и высоких температур, выполнены детальные исследования прыжковой проводимости и магнитосопротивления. Обнаружено, что увеличение температуры синтеза под давлением psyn=8 GPa в интервале 800<Tsyn<1000oC индуцирует у образцов фуллерита C2N переход металл-изолятор, что сопровождается значительным (9 порядков при комнатной температуре) падением сопротивления. В промежуточной области (900<Tsyn<1000oC) образцы C2N обладают прыжковой проводимостью моттовского типа, причем показатель степени alpha в законе Мотта rho(T)~exp[(T0/T)alpha] зависит от температуры синтеза и изменяется в пределах 1/4<alpha<1/2. Найдено, что в случаях alpha=1/3 и 1/4 прыжковая проводимость возникает в аномально широком диапазоне температур 4.2<T<300 K. Установлено, что для адекватного описания температурной зависимости магнитосопротивления у образцов C2N необходимо учитывать совместное влияние спин-поляризационного механизма и эффекта сжатия волновой функции. Обсуждается модель, связывающая изменение эффективной размерности прыжковой проводимости в фуллеритах с физическими неоднородностями на наноразмерной шкале. Работа выполнена в рамках проекта 2.8 Программы фундаментальных исследований Президиума РАН "Влияние атомно-кристаллической и электронной структуры на свойства конденсированных сред" при поддержке РФФИ (гранты N 04-02-16308 и 05-02-165969) и программы Президиума РАН по веществу в экстремальных условиях. PACS: 72.80.Rj, 72.20.Ee
  1. A.G. Lyapin, V.V. Brazhkin, S.G. Lyapin, S.V. Popova, T.D. Varfolomeeva, R.N. Voloshin, A.A Pronin, N.E. Sluchanko, A.G. Gavrilyuk, I.A. Trojan. Phys. Stat. Sol. (b) 211, 401 (1999)
  2. В.В. Бражкин, А.Г. Ляпин, С.В. Попова, С.К. Бейлисс, Т.Д. Варфоломеева, Р.Н. Волошин, А.Г. Гаврилюк, М.В. Кондрин, В.В. Мухамадьяров, И.А. Троян, С.В. Демишев, А.А. Пронин, Н.Е. Случанко. Письма в ЖЭТФ 76, 805 (2002)
  3. A.W.P. Fung, Z.H. Wang, M.S. Dresselhaus, G. Dresselhaus, R.W. Pekala, M. Endo. Phys. Rev. B 49, 17 325 (1994)
  4. V.A. Samuilov, J. Galibert, V.K. Ksenevich, V.J. Goldman, M. Rafailovich, J. Sokolov, I.A. Bashmakov, V.A. Dorosinets. Physica B 294--295, 319 (2001)
  5. С.В. Демишев, А.А. Пронин, Н.Е. Случанко, Н.А. Самарин, А.Г. Ляпин, В.В. Бражкин, Т.Д. Варфоломеева, С.В. Попова. Письма в ЖЭТФ 72, 547 (2000)
  6. С.В. Демишев, А.А. Пронин. ФТТ 48, 1285 (2006)
  7. S.G. Buga, V.D. Blank, G.A. Dubitsky, L. Edman, X.-M. Zhu, E.B. Nyeanchi, B. Sundqvist. J. Phys. Chem. Sol. 61, 1009 (2000)
  8. A.G. Lyapin, Y. Katayama, V.V. Brazhkin, A.G. Gavrilyuk, Y. Inamura, M.V. Kondrin, V.V. Mukhamadiarov, S.V. Popova, I.A. Trojan, T.D. Varfolomeeva. In: Proc. Joint 20th AIRAPT and 43th EHPRG Int. Conf. on High Pressure Science and Technology / Eds E. Dinjus, N. Dahmen. Forschungszentrum Karlsruhe GmbH, Karlsruhe (2005). T10-O140
  9. V.V. Brazhkin, A.G. Lyapin, S.V. Popova, Yu.V. Antonov, Yu.A. Kluev, A.M. Naletov. Rev. High Press. Sci. Technol. 7, 989 (1998)
  10. А.В. Елецкий, Б.М. Смирнов. УФН 165, 977 (1995)
  11. С.В. Демишев, А.А. Пронин, В.В. Глушков, Н.Е. Случанко, Н.А. Самарин, М.В. Кондрин, А.Г. Ляпин, В.В. Бражкин, Т.Д. Варфоломеева, С.В. Попова. ЖЭТФ 122, 140 (2002)
  12. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир, М. (1982)
  13. И.П. Звягин. Кинетические явления в неупорядоченных полупроводниках. Изд-во МГУ, М. (1984)
  14. С.В. Демишев, А.А. Пронин, В.В. Глушков, Н.Е. Случанко, Н.А. Самарин, М.В. Кондрин, А.Г. Ляпин, В.В. Бражкин, Т.Д. Варфоломеева, С.В. Попова. Письма в ЖЭТФ 78, 984 (2003)
  15. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. Наука, М. (1979)
  16. С.В. Демишев, Д.Г. Лунц, А.Г. Ляпин, Н.Е. Случанко, Н.А. Самарин. ЖЭТФ 110, 334 (1996)
  17. A. Kurobe, H. Kamimura. J. Phys. Soc. Jap. 51, 1904 (1982)
  18. K.A. Matveev, L.I. Glazman, P. Clarke, D. Ephron, M.R. Beasley. Phys. Rev. B 52, 5289 (1995)
  19. E.V. Tat'yanin, A.G. Lyapin, V.V. Mukhamadiarov, V.V. Brazhkin, A.L. Vasiliev. H. Phys.: Cond. Matter 17, 249 (2005).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme