Вышедшие номера
Свойства контактов Мотта с ультрамалым барьером металл--полупроводник
Шашкин В.И.1, Мурель А.В.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: sha@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 11 февраля 2008 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2008 г.

Исследованы вольт-амперные и емкостные характеристики контактов Мотта с ультрамалым барьером металл--полупроводник. Анализ основан на аналитическом решении уравнения Пуассона для пространственного заряда носителей тока в структуре металл--i-слой--n+-подложка при пренебрежении объемным легированием i-слоя. Для контактов с ультрамалыми барьерами (сравнимыми с тепловой энергией носителей) показано, что ток обратной ветви становится больше прямого, меняется знак детектирования, а емкость контакта приобретает сильную зависимость от напряжения. Это означает, что происходит смена механизма нелинейности структуры и определяющей становится нелинейность, обусловленная носителями тока, инжектированными в i-слой. В определенном диапазоне смещений вблизи нуля дифференциальное сопротивление и емкость структуры экспоненциально возрастают с напряжением, что является нетипичным для обычных контактов металл--полупроводник. Полученные зависимости тока и емкости от напряжения определяют характеристики новых перспективных приборов, в частности чувствительных микроволновых детекторов, работающих без смещения. PACS: 73.30.+y, 73.63.-b, 73.40.Ei, 73.40.Sx
  1. N.F. Mott. Proc. Cambr. Philos. Soc. 34, 568 (1938)
  2. N.F. Mott. Proc. Roy. Soc. Ser. A 171, 27 (1939)
  3. E.H. Rhoderick, R.H. Williams. Metal--semiconductor contacts. Claredon Press, Oxford (1988). 252 p
  4. В.И. Шашкин, А.В. Мурель. ФТТ 50, 519 (2008)
  5. В.И. Шашкин, В.Л. Вакс, В.М. Данильцев, А.В. Масловский, А.В. Мурель, С.Д. Никифоров, Ю.И. Чеченин. Изв. вузов. Радиофизика 48, 544 (2005)
  6. V.I. Shashkin, Yu.A. Drjagin, V.R. Zakamov, S.V. Krivov, L.M. Kukin, A.V. Murel, Y.I. Chechenin. Int. J. Infrared Millimeter Waves 28, 945 (2007)
  7. В.И. Шашкин, А.В. Мурель, Ю.Н. Дроздов, В.М. Данильцев, О.И. Хрыкин. Микроэлектроника 26, 57 (1997)
  8. В.И. Шашкин, А.В. Мурель, В.М. Данильцев, О.И. Хрыкин. ФТП 36, 537 (2002)
  9. В.И. Шашкин, А.В. Мурель. ФТП 38, 574 (2004)
  10. E.F. Schubert, J.E. Conningham, W.T. Tsang, T.H. Chiu. Appl. Phys. Lett. 49, 292 (1986)
  11. D.W. Winston, R.E. Hayes. Proc. Int. Symp. on compound semic. San-Diego CA (1994). P. 747

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.