Издателям
Вышедшие номера
Свойства контактов Мотта с ультрамалым барьером металл--полупроводник
Шашкин В.И.1, Мурель А.В.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: sha@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 11 февраля 2008 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2008 г.

Исследованы вольт-амперные и емкостные характеристики контактов Мотта с ультрамалым барьером металл--полупроводник. Анализ основан на аналитическом решении уравнения Пуассона для пространственного заряда носителей тока в структуре металл--i-слой--n+-подложка при пренебрежении объемным легированием i-слоя. Для контактов с ультрамалыми барьерами (сравнимыми с тепловой энергией носителей) показано, что ток обратной ветви становится больше прямого, меняется знак детектирования, а емкость контакта приобретает сильную зависимость от напряжения. Это означает, что происходит смена механизма нелинейности структуры и определяющей становится нелинейность, обусловленная носителями тока, инжектированными в i-слой. В определенном диапазоне смещений вблизи нуля дифференциальное сопротивление и емкость структуры экспоненциально возрастают с напряжением, что является нетипичным для обычных контактов металл--полупроводник. Полученные зависимости тока и емкости от напряжения определяют характеристики новых перспективных приборов, в частности чувствительных микроволновых детекторов, работающих без смещения. PACS: 73.30.+y, 73.63.-b, 73.40.Ei, 73.40.Sx
  • N.F. Mott. Proc. Cambr. Philos. Soc. 34, 568 (1938)
  • N.F. Mott. Proc. Roy. Soc. Ser. A 171, 27 (1939)
  • E.H. Rhoderick, R.H. Williams. Metal--semiconductor contacts. Claredon Press, Oxford (1988). 252 p
  • В.И. Шашкин, А.В. Мурель. ФТТ 50, 519 (2008)
  • В.И. Шашкин, В.Л. Вакс, В.М. Данильцев, А.В. Масловский, А.В. Мурель, С.Д. Никифоров, Ю.И. Чеченин. Изв. вузов. Радиофизика 48, 544 (2005)
  • V.I. Shashkin, Yu.A. Drjagin, V.R. Zakamov, S.V. Krivov, L.M. Kukin, A.V. Murel, Y.I. Chechenin. Int. J. Infrared Millimeter Waves 28, 945 (2007)
  • В.И. Шашкин, А.В. Мурель, Ю.Н. Дроздов, В.М. Данильцев, О.И. Хрыкин. Микроэлектроника 26, 57 (1997)
  • В.И. Шашкин, А.В. Мурель, В.М. Данильцев, О.И. Хрыкин. ФТП 36, 537 (2002)
  • В.И. Шашкин, А.В. Мурель. ФТП 38, 574 (2004)
  • E.F. Schubert, J.E. Conningham, W.T. Tsang, T.H. Chiu. Appl. Phys. Lett. 49, 292 (1986)
  • D.W. Winston, R.E. Hayes. Proc. Int. Symp. on compound semic. San-Diego CA (1994). P. 747
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.