Максимум подвижности двумерных электронов при рассеянии на коррелированном распределении примесных ионов
Михеев В.М.1
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Email: mikheev@imp.uran.ru
Поступила в редакцию: 4 октября 2007 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2008 г.
Изучены концентрационные зависимости подвижности 2D-электронов в гетероструктурах с раздельным легированием. Рассмотрены корреляции примесных ионов в объеме легированного слоя. Для структурного фактора, описывающего влияние корреляций в расположении рассеивателей на подвижность, используется аналитическое выражение, полученное в модели жестких сфер. Оценивается влияние осцилляций структурного фактора на подвижность электронов. Работа выполнена по плану РАН (шифр "Электрон" N г.р.01.2.006 13395). PACS: 72.10.-d, 73.40.-c
- F. Stern. Appl. Phys. Lett. 43, 974 (1983); T. Saku, Y. Horikoshi, Y. Tokura. Jpn. J. Appl. Phys. 35, 34 (1996)
- S. Das Sarma, F. Stern. Phys. Rev. B 32, 8442 (1985)
- A.L. Efros, F.G. Pikus, G.G. Samsonidze. Phys. Rev. B 41, 8295 (1990)
- T. Kawamura, S. Das Sarma. Solid State Commun. 100, 411 (1996)
- В.М. Михеев. ФТТ 49, 1770 (2007)
- Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем. Мир, М. (1985); 415 с.; F. Stern, W. Howard. Phys. Rev. 163, 816 (1967)
- В.М. Михеев. ФТТ 47, 1056 (2005)
- DX-centers and other metastable defects in semiconductors. Int. Symp. Mauterdorf, Austria (1991). Semicond. Sci. Technol. 6, 10 B (1991)
- A.F.W. van de Stadt, P.M. Koenroad, J.M. Shi, J.H. Wolter, J.T. Devreese. Phys. Status Solidi B 237, 405 (2003)
- S. Das Sarma, S. Koliyalam. Semicond. Sci. Technol. 13, 8 A, A 59 (1998)
- Ф.Г. Пикус, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ 96, 985 (1989)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.