Вышедшие номера
К теории адсорбции на эпитаксиальном графене: модельный подход
Давыдов С.Ю.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: Sergei_Davydov@mail.ru
Поступила в редакцию: 24 января 2014 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2014 г.

Модель адсорбции на эпитаксиальном графене строится в два этапа: сначала определяется плотность состояний монослоя графена, адсорбированного на твердотельной подложке, а затем на образовавшийся эпитаксиальный графен помещается адсорбированный атом. Рассматриваются металлическая и полупроводниковая подложки. Вычисляется переход заряда между адатомом и эпитаксиальным графеном. Оцениваются роли подложки и графенового листа в формировании электронного состояния адатомов. Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ (проект N 12-02-00165a) и государственной финансовой поддержке ведущих университетов РФ (субсидия 074-U01).