Издателям
Вышедшие номера
Влияние толщины слоя хрома на морфологию и оптические свойства гетероструктур Si(111)/нанокристаллиты CrSi2/Si(111)
Галкин Н.Г.1, Турчин Т.В.1, Горошко Д.Л.1
1Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук, Владивосток, Россия
Email: ngalk@iacp.dvo.ru
Поступила в редакцию: 17 мая 2007 г.
Выставление онлайн: 20 января 2008 г.

Методами дифракции медленных электронов, атомной силовой микроскопии и оптической спектроскопии на отражение и пропускание исследован рост и оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур Si(111)/нанокристаллиты CrSi2(111) на основе наноразмерных островков дисилицида хрома (CrSi2) на Si(111), сформированных методом реактивной эпитаксии с различными толщинами (0.1, 0.3, 0.6, 1.0 и 1.5 nm) при температуре 500oC с последующим эпитаксиальным ростом кремния при температуре 750oC. Определены особенности изменения плотности и размеров островков CrSi2 на поверхности кремния при T=750oC при увеличении толщины хрома. Установлено, что в гетероструктурах с толщиной хрома от 0.6 nm и более небольшая часть ограненных нанокристаллитов (НК) Cr2Si2 выходит в приповерхностную область кремния, что подтверждается данными оптической отражательной спектроскопии и анализом спектральной зависимости коэффициента поглощения. Показано, что существует критический размер НК, выше которого их движение к поверхности кремния затруднено. Уменьшение плотности вышедших НК при толщинах хрома 1.0--1.5 nm связано с формированием более крупных НК в толщине слоя кремния, что и подтверждается данными дифференциальной отражательной спектроскопии. Работа выполнялась при финансовой поддержке грантов РФФИ N 07-02-00958_a, ДВО РАН N 06-I-П1-001 и N 06-I-ОФН-118. PACS: 61.14.Hg, 68.03.Cd, 78.67. Bf
  1. Semiconducting Silicides / Ed. V.E. Borisenko. Springer-Verlag, Berlin (2000)
  2. V. Bellani, G. Guizzetti, F. Marabelli, A. Piaggi, A. Borghesi, F. Nava, V.N. Antonov, V1.N. Antonov, O. Jepsen, O.K. Andersen, V.V. Nemoshkalenko. Phys. Rev. B 46, 9380 (1992)
  3. R.W. Fathauer, P.J. Grunthaner, T.L. Lin, K.T. Chang. J.H. Mazur, D.N. Danielson. J. Vac. Sci. Tecnhol. B 6, 708 (1988)
  4. P. Wetzel, C. Pirri, J.C. Peruchetti, D. Bolmont, G. Gewinner. Solid Satet Commun. 65, 1217 (1988)
  5. N.I. Plusnin, N.G. Galkin, V.G. Lifshits. Surf. Rev. Lett. 2, 439 (1995)
  6. N.G. Galkin, T.V. Velitchko, S.V. Skripka, A.B. Khrustalev. Thin Solid Films 280, 211 (1996)
  7. N.G. Galkin, A.M. Maslov, A.V. Konchenko. Thin Solid Films 311, 230 (1997)
  8. V.A. Gasparov, V.A. Grazhulis, V.V. Bondarev, T.M. Bychkova, V.G. Lifshits, N.G. Galkin, N.I. Plusnin, Surf. Sci. 292, 298 (1993)
  9. N.G. Galkin, D.L. Goroshko, S.A. Dotsenko, T.V. Turchin. J. Nanosci. Nanotechnol. in press (2007)
  10. T. Suemasu, T. Fujii, M. Tanaka, K. Takakura, Y. Iikura, F. Hasegawa. J. Luminescence 80, 473 (1999)
  11. T. Suemasuu, T. Fujii, K. Takakura, F. Hasegawa. Thin Solid Films 381, 209 (2001)
  12. T. Suemasu, Y. Negishi, K. Takakura, F. Hasegawa. Appl. Phys. Lett. 79, (2001), 1804
  13. Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников. Наука М. (1977). 336 с
  14. Н.Г. Галкин, А.М. Маслов, А.В. Конченко, И.Г. Каверина, А.С. Гуральник. Опт. и спектр. 85, 658 (1998)
  15. В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник. Наук. думка, Киев (1987). 387 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.