Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Диэлектрические свойства модифицированных слоев As₂Se₃<Bi>_x

Кастро Р.А.¹, Анисимова Н.И.¹, Бордовский В.А.¹, Грабко Г.И.¹

¹Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия Herzen State Pedagogical University of Russia, St. Petersburg, Russia

Herzen State Pedagogical University of Russia, St. Petersburg, Russia

Email: recastro@fromru.com

Поступила в редакцию: 19 июня 2008 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2009 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приведен расчет диэлектрических параметров (диэлектрической проницаемости varepsilon и тангенса угла диэлектрических потерь tgsigma) для слоев As₂Se₃<Bi>_x на основе релаксационных кривых поляризационного тока, измеренных при различных значениях напряженности приложенного электрического поля. Обнаружено значительное влияние примеси висмута на характер частотной зависимости varepsilon и tgdelta, что, вероятно, связано с существованием микронеоднородных областей с повышенной концентрацией примеси. PACS: 71.23.Cq, 71.55.Jv

B.T. Kolomiets. Phys. Status Solidi 7, 359; 713 (1964)
А.И. Губанов. ЖТФ 27, 2510 (1957)
N.F. Mott. Adv. Phys. 16, 49 (1967)
Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристалличеки веществах. Мир, М. (1982). 662 с
R. Flasck, M. Izu, K. Sapru, T. Anderson, S.R. Ovshinsky, H. Fritzsche. Proc. 7^th Int. Conf. Amorphous and liquid semicond. Edinburg, England (1977). P. 524
В.Л. Аверьянов, Б.Т. Коломиец, В.М. Любин, О.Ю. Приходько. Письма в ЖТФ 6, 577 (1980)
Б.Л. Гельмонт, К.Д. Цендин. ФТП 17, 6, 1040 (1983)
З.У. Борисова. Е.А. Бычков, Ю.С. Тверьянович. Взаимодействие металлов с халькогенидными стеклами. Изд-во ЛГУ, Л. (1991). 95 с
Л.П. Казакова, Э.А. Лебедев. ФТП 32, 803 (1998)
C. Crevecoeur, H.J. De Wit. Solid State Commun. 9, 445 (1971)
Г.А. Лущейкин. Методы исследования электрических свойств полимеров. Химия, М. (1980). 160 с
П.Т. Орешкин. Физика полупроводников и диэлектриков. Высш. шк., М. (1977). 448 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель