Вышедшие номера
Сульфидная пассивация подложек InAs(100) в растворах Na2S
Львова Т.В.1, Седова И.В.1, Дунаевский М.С.1, Карпенко А.Н.1, Улин В.П.1, Иванов С.В.1, Берковиц В.Л.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: tatiana.lvova@pop.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 29 июля 2008 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2009 г.

Установлено, что в результате обработки водным 1M-раствором сульфида натрия (Na2S) с поверхности InAs(100) удаляется слой естественного окисла, вместо которого формируется сплошной хемосорбционный пассивирующий слой из атомов серы, когерентно связанных с атомами индия поверхности кристалла. Травления поверхности InAs в сульфидном растворе не происходит. Пассивированные образцы InAs демонстрируют многократное увеличение интенсивности фотолюминесценции. Сульфидный слой десорбируется с поверхности InAs при температурах ~400oC, в результате чего открывается чистая In-стабилизированная поверхность (100) с реконструкцией (4x2). С использованием сульфидной пассивации разработан простой способ подготовки атомно-гладких ростовых поверхностей (2x4) подложек InAs(100), пригодных для молекулярно-пучковой эпитаксии высокосовершенных слоев соединений на основе CdSe. Работа выполнена при частичной поддержке гранта N 2.10-б Программы Президиума РАН П-03 и Лазерной программы ОФН РАН. PACS: 68.37.Ps, 68.47.Fg, 81.15.Gh