Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Низкотемпературная электропроводность и переход сверхпроводник-диэлектрик в твердых [0.3mm] растворах (Pb0.5Sn0.5)1-xInxTe, связанный [0.3mm] с примесными состояниями индия
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: d.shamshur@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 24 декабря 2009 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2010 г.
Исследованы низкотемпературные электрофизические характеристики (включая сверхпроводящие) в полупроводниковом твердом растворе (Pb0.5Sn0.5)1-xInxTe с переменным содержанием индия x=0.05-0.2. Обнаружено, что уменьшение количества примеси x в материале приводит к уменьшению температуры сверхпроводящего перехода Tc и "диэлектрическому" состоянию материала. Эти эффекты проявляются в увеличении низкотемпературного (T=4.2 K) сопротивления (Pb0.5Sn0.5)0.95In0.05Te более чем на три порядка по сравнению с (Pb0.5Sn0.5)0.8In0.2Te. Уменьшение количества In в твердом растворе приводит также к принципиальному изменению вида температурной зависимости сопротивления от металлической в материале с x=0.2 (уменьшение сопротивления с понижением температуры в интервале 300-4.2 K) к полупроводниковой в образце с x=0.05 (экспоненциальный рост сопротивления при T<25 K). Эффект "диэлектризации" материала при уменьшении количества примеси связан со смещением примесной полосы квазилокальных состояний индия к потолку валентной зоны легких дырок соединения и выходом ее в область запрещенной зоны твердого раствора. Работа поддержана грантами РФФИ (N 07-02-00726), Президиума РАН и N НШ-2184.2008.2.
- В.И. Кайданов, Ю.И. Равич. УФН 145, 51 (1985)
- Р.В. Парфеньев, Д.В. Шамшур, С.А. Немов. ФТТ 43, 1772 (2001)
- А.В. Березин, С.А. Немов, Р.В. Парфеньев, Д.В. Шамшур. ФТТ 35, 53 (1993)
- Г.С. Бушмарина, И.А. Драбкин, В.В. Компаниец, Р.В. Парфеньев, Д.В. Шамшур, М.А. Шахов. ФТТ 28, 1094 (1986)
- R.A. Hein, P.H.E. Meijr. Phys. Rev. 179, 497 (1969)
- G.S. Bushmarina, I.A. Drabkin, D.V. Mashovets, R.V. Parfeniev, D.V. Shamshur, M.A. Shachov. Physica B 169, 687 (1991)
- В.И. Кайданов, С.А. Немов, Ю.И. Равич. ФТП 26, 201 (1992)
- В.И. Козуб, Р.В. Парфеньев, Д.В. Шамшур, Д.В. Шакура, А.В. Черняев, С.А. Немов. Письма в ЖЭТФ 84, 37 (2006)
- В.В. Голубев, Н.И. Гречко, С.Н. Лыков, Е.П. Сабо, И.А. Черник. ФТП 11, 1704 (1977)
- В.И. Кайданов, С.А. Немов, Р.В. Парфеньев, Д.В. Шамшур. Письма в ЖЭТФ 35, 517 (1982)
- М.А. Коржуев. Теллурид германия и его свойства. Наука, М. (1986). 104 с
- Ю.И. Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смирнов. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe и PbS. Наука, М. (1968). 348 с
- Р.В. Парфеньев, И.Ю. Смирнов, А.В. Черняев, Д.В. Шамшур, С.А. Немов, В.И. Прошин. НТ-34. Тез. докл. Ростов н/Д (2006). Т. 2. С. 266
- О.Е. Квятковский. ФТТ 32, 2862 (1990)
- Б.А. Волков, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. УФН 172, 875 (2002)
- Н.Ф. Мотт. Переходы металл-изолятор. Наука, М. (1979). 344 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
