Вышедшие номера
Внутреннее трение в стеклообразных полупроводниках системы Ge-As-Se
Биланич В.С.1, Онищак В.Б.1, Макауз И.И.1, Ризак В.М.1
1Ужгородский национальный университет, Ужгород, Украина
Email: vbilanych@gmail.com
Поступила в редакцию: 11 января 2010 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2010 г.

Методом внутреннего трения исследованы процессы релаксации в стеклах системы Ge-As-Se. В области температур 180-280 K выявлен релаксационный процесс, который может быть классифицирован как beta-процесс релаксации. Сделано предположение о том, что изменение величины максимума внутреннего трения в этом температурном интервале в зависимости от химического состава связано с изменением концентрации структурных единиц, обусловливающих beta-релаксацию в данных материалах. Обнаружено интенсивное возрастание энергии активации alpha-процесса релаксации исследованных стекол системы Ge-As-Se в области среднего координационного числа Z=2.6.
  1. K. Tanaka. Phys. Rev. B 39, 1270 (1989)
  2. М.Л. Трунов, В.С. Биланич, С.Н. Дуб, Р.С. Шмегера. Письма в ЖЭТФ 82, 562 (2005)
  3. В.С. Биланич. Процессы механической релаксации в стеклообразных сульфидах и селенидах мышьяка. Автореф. канд. дис. УжГУ, Ужгород (1993). 24 с
  4. В.С. Биланич, А.А. Горват. ФХС 24, 825 (1998)
  5. З.У. Борисова. Халькогенидные полупроводниковые стекла. Химия, Л. (1983). 285 с
  6. Физическая акустика / Под ред. У. Мэзона. Влияние дефектов на свойства твердых тел. Мир, М. (1969). Т.З.Ч.А. 579 с
  7. В.С. Биланич, И.И. Макуз, Т.Д. Мельниченко, И.М. Ризак, В.М. Ризак. ФТТ 48, 1942 (2006)
  8. Г.М. Бартенев, Д.С. Сандитов. Релаксационные процессы в стеклообразных системах. Наука. Новосибирск (1986). 240 с
  9. R.P. Wang, C.J. Zha, A.V. Rode, S.J. Madden, B. Luther-Davies. J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 18, 419 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.