Исследовалась ралаксация механических напряжений несоответствия в эпитаксиальных пленках Ge_xSi_1-x (x~0.4-0.5), выращиваемых методом молекулярной эпитаксии на подложках Si, отклоненных от точной ориентации (001) на угол 6^o. Рассмотрены возможные варианты наведенного зарождения и взаимодействия 60^o дислокаций несоответствия (ДН), распространяющихся в направлении отклонения с образованием отрезков коротких краевых ДН, проведена их классификация и приведены экспериментально обнаруженные с помощью ПЭМ различные формы таких конфигураций. Показано, что образование коротких краевых ДН происходит по двум различным механизмам: A - коррелированное или наведенное зарождение комплементарной 60^o дислокационной полупетли и затем образование отрезка краевой дислокации; B - образование 90^o сегмента ДН при пересечении уже существующих комплементарных 60^o ДН, скользящих в противоположно наклонных плоскостях 111. Показана неэквивалентность взаимодействия 60^o ДН, распространяющихся в противоположных направлениях вдоль направления отклонения подложки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.