Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Оптические и электрофизические свойства дефектов в высокочистом CdTe
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия 
Email: krivobok@lebedev.ru
Поступила в редакцию: 2 апреля 2009 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2009 г.
С помощью фотолюминесценции, фотопроводимости, а также анализа температурной зависимости проводимости исследован электронный спектр дефектов, образующихся при низкотемпературном синтезе и росте высокочистого [111] CdTe из паровой фазы исходных компонентов. Помимо сравнительно мелких центров, включающих в основном доноры и акцепторы из состава остаточных примесей замещения, в кристаллах обнаружены глубокие акцепторные состояния с энергиями активации 0.25, 0.6 и 0.86 eV, различающиеся характером и величиной локализующего потенциала. В то время как глубокие центры 0.6 и 0.86 eV характеризуются сильной локализацией электронных состояний, центр с энергией активации 0.25 eV связан с дефектами, для которых основная часть локализующего потенциала равномерно распределена в пространстве на несколько элементарных ячеек. Предполагаемым источником таких центров являются протяженные дефекты, вызванные двойникованием.
- S. Itoch, K. Nakato, A. Ishbashi. J. Cryst. Growth 214/215, 212 (2000)
- D.J. Chadi. Pjys. Rev. Lett. 72, 4, 534 (1994)
- Su-Huai Wei, S.B. Zhang. Phys. Rev. B 66, 155 211 (2002)
- M.J. Hagmann. Appl. Phys. Lett. 83, 1 (2003)
- Su-Huai Wei, S.B. Zhang. Phys. Rev. B 62, 6944 (2000)
- C.H. Park, D.J. Chadi. Phys. Rev. B 52, 11 884 (1995)
- R. Grill, P. Fochuk, J. Franc, B. Nahlovskyy, P. Hoschl, P. Moravec, Z. Zakharuk, Ye. Nykonyuk, O. Panchu. Phys. Status Solidi B 243, 4, 787 (2006); S.B. Zhang, S.-H. Wei, Yanfa Yan. Physica B 302--303, 135 (2001)
- V. Consonni, G. Feuillet, S. Renet. J. Appl. Phys. 99, 053 502 (2006); I.S. Virt, M. Bester, M. Kuzma, V.D. Popovych. Thin Solid Films 451--452, 184 (2004); K. Suzuki, S. Seto, A. Tanaka, M. Kawashima. J. Cryst. Growth 101, 859 (1990)
- С.А. Медведев, Ю.В. Клевков. Патент РФ N 243014 от 20.12.1999
- Дж. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках Мир, М. (1964). С. 140
- A.V. Kvit, Y.V. Klevkov, S.R. Oktyabrsky, A.V. Tsikunov, B.G. Zhurkin. Mater. Sci. Eng. B 26, 1, 1 (1994)
- J.A. Wolk, T.W. Steiner, V.A. Karasyuk, M.L.W. Thewalt. Phys. Rev. B 50, 18 030 (1994)
- J.M. Francou, K. Saminadayar, J.L. Pautrat. Phys. Rev. B 41, 17 (1990)
- Н.И. Тарбаев, Р.А. Шепельский. ФТП 40, 10, 1175 (2006)
- P.J. Dean, G.M. Williams, G. Blackmore. J. Phys. D 17, 2291 (1984)
- C.B. Davis, D.D. Allred, A. Reyes-Mena. Phys. Rev. B 47, 13 363 (1993)
- В.С. Багаев, Ю.В. Клевков, В.С. Кривобок, В.П. Мартовицкий, В.В. Зайцев, С.Г. Черноок, Е.Е. Онищенко. ФТТ 50, 5 (2008)
- W. Statler, D.M. Hofmann, H.C. Alt, T. Muschik, B.K. Meyer. Phys. Rev. B 51, 16 (1995)
- M.J. Seong, H. Alawadhi, I. Miotkowski, A.K. Ramdas, S. Miotkowska. Phys. Rev. B 62, 1866 (2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
