Вышедшие номера
Действие магнитного поля на перенос энергии зонных состояний в 3d-оболочку Mn2+ в матрице CdMgTe с ультратонкими слоями CdMnTe
Агекян В.Ф.1, Holtz P.O.2, Karczewski G.3, Москаленко Е.С.4, Серов А.Ю.1, Философов Н.Г.1
1Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
2IFM Material Physics, Linkoping University, Linkoping, Sweden
3Institute of Physics, Polish Academy of Science, Warsaw, Poland
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: avf@VA4678.spb.edu
Поступила в редакцию: 28 апреля 2009 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2009 г.

Рассмотрено влияние внешних полей на два канала излучательной рекомбинации - межзонный и внутрицентровый - в разбавленных магнитных полупроводниках группы II-VI и наноструктурах на их основе. В магнитном поле до 6 T исследована внутрицентровая 3d-люминесценция ионов марганца в матрицах CdMgTe, содержащих периодические включения узкозонных слоев CdMnTe с толщинами 0.5, 1.5 и 3.0 монослоя. Показано, что в магнитном поле люминесценция ионов марганца ослабляется вследствие уменьшения скорости спин-зависимого переноса возбуждения от зонных состояний в 3d-оболочку марганца. Наиболее сильное подавление 3d-люминесценции наблюдается в матрице с толщиной CdMnTe 3.0 монослоя. Это свидетельствует о том, что основным фактором является величина внутренного поля около слоев CdMnTe определяющая магнитное расщепление и поляризацию спинов зонных состояний. Работа поддержана грантом "Развитие научного потенциала высшей школы" N 2.1.1.1812 Минобразования РФ.