Издателям
Вышедшие номера
Динамика носителей и вынужденные излучательные переходы терагерцeвого диапазона между уровнями Ландау в каскадных структурах из квантовых ям GаAs/AlGaAs
Теленков М.П.1,2, Митягин Ю.А.1, Карцев П.Ф.3
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
3Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
Email: maxim_telenkov@mail.ru
Выставление онлайн: 19 сентября 2013 г.

Изучено распределение электронов по уровням Ландау в резонансно-туннельных структурах из квантовых ям GaAs/AlGaAs в условиях резонансно-туннельной накачки верхних подзон размерного квантования. Проведен численный расчет населенностей уровней Ландау в зависимости от скорости накачки (времени туннелирования), уровня легирования и напряженности магнитного поля. Продемонстрировано наличие инверсии населенности между первым уровнем Ландау первой подзоны и основным (нулевым) уровнем Ландау одной из верхних подзон в широкой непрерывной области магнитных полей. Исследовано влияние на распределение носителей различных механизмов рассеяния --- как двухчастичных (электрон-электронное рассеяние), так и одночастичных (рассеяние на акустических фононах и шероховатостях интерфейса). Найден способ преодоления запрета и достижения существенных значений дипольного матричного элемента для рассматриваемого инвертированного перехода. Работа выполнена при финансвой поддержке РФФИ (проекты N 08-02-92505-НЦНИЛ, 09-02-00671 и 12-02-00564), гранта Президента РФ для поддержки молодых ученых-кандидатов наук (N МК-916.2009.2), гранта НИТУ "МИСиС" N 3400022 и Федеральной целевой программы "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009--2013 гг.
  • М.П. Теленков, Ю.А. Митягин, П.Ф. Карцев. Письма в ЖЭТФ 92, 6, 444 (2010)
  • U. Ekenberg. Phys. Rev. B 40, 7714 (1989)
  • S. vZivanovic, V. Milanovic, Z. Ikonic. Rev. B 52, 8305 (1995)
  • A. Wacker. In: Theory of transport properties of semiconductor nanostructures / Ed. E. Scholl. Champman and Hall, London (1998)
  • A. Leuliet, A. Vasanelli, A. Wade, G. Fedorov, D. Smirnov, G. Bastard, C. Sirtori. Phys. Rev. B 73, 085 311 (2006)
  • R. Ferreira, G. Bastard. Phys. Rev. B 40, 1074 (1989)
  • М.П. Теленков, Ю.А. Митягин. ФТП 40, 5, 597 (2006)
  • F. Stern, W.E. Howard. Phys. Rev. 163, 816 (1967)
  • M.L. Leadbeater, F.W. Sheard, L. Eaves. Semicond. Sci. Technol. 6, 1021 (1991)
  • Y.G. Gobato, J.M. Berrior, Y. Guldner, Y. Guldner, J.P. Vieren, F. Cgevior, B. Vinter. Phys. Rev. B 44, 13 795 (1991)
  • J. Hu, A.H. McDonald. Phys. Rev. B 46, 12 554 (1992)
  • Y.G. Gobato, J.M. Berrior, Y. Guldner, G. Gobato, J.M. Berrior, Y. Guldner, J.P. Vieren, F. Chevoir, B. Vinter. J. Phys.: Cond. Matter 5, A365 (1993)
  • S.K. Lyo. Phys. Rev. B 57, 9114 (1998)
  • М.П. Теленков, Ю.А. Митягин. ЖЭТФ 130, 3, 491 (2006)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.