Издателям
Вышедшие номера
Доменная структура материала полупроводниковых лазеров на основе GaN/SiC
Бойко М.Е.1, Шарков М.Д.1, Бойко А.М.1, Нестеров С.И.1, Конников С.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: m.e.boiko@mail.ioffe.ru
Выставление онлайн: 19 сентября 2013 г.

Доменная структура пленок гексагональных полупроводников GaN/SiC исследована методом малоуглового рассеяния рентгеновских лучей с целью определения возможных конфигураций доменов в пленке GaN/SiC, способных повлиять на свойства лазера на ее основе. В результате обработки спектров малоуглового рассеяния рентгеновских лучей согласно моделям Порода и Брэгга получены данные о таких особенностях образцов, как геометрические свойства кластеров и расстояния в сверхструктурах (слоях, сверхрешетках) соответственно. Предложена модель регулярной сетки доменных стенок в пленке GaN/SiC. Подтверждена гипотеза о формировании нитевидных структур вблизи интерфейса пленки-подложки.
  • J.A. Lely. Ber. Dtsch. Keram. Ges. 32, 229 (1955)
  • Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov, A.D. Roenkov, M.E. Boiko, P.G. Baranov. J. Cryst. Growth 183, 10 (1997)
  • Т.Н. Василевская, Р.И. Захарченя. ФТТ 38 10, 3129 (1996)
  • В.Г. Дубровский, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов. ФТП 43, 12, 1585 (2009)
  • К.Ю. Погребицкий, М.Д. Шарков. ФТП 44, 6, 753 (2010)
  • Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Электродинамика сплошных сред. Физматлит, М. (2005). 656 с
  • А.А. Русаков. Рентгенография металлов. Атомиздат, М. (1977). 480 c
  • Small Angle X-Ray Scattering / Ed. O. Glatter, O. Kratky. Academic Press, London (1982). 516 p
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.