Доменная структура пленок гексагональных полупроводников GaN/SiC исследована методом малоуглового рассеяния рентгеновских лучей с целью определения возможных конфигураций доменов в пленке GaN/SiC, способных повлиять на свойства лазера на ее основе. В результате обработки спектров малоуглового рассеяния рентгеновских лучей согласно моделям Порода и Брэгга получены данные о таких особенностях образцов, как геометрические свойства кластеров и расстояния в сверхструктурах (слоях, сверхрешетках) соответственно. Предложена модель регулярной сетки доменных стенок в пленке GaN/SiC. Подтверждена гипотеза о формировании нитевидных структур вблизи интерфейса пленки-подложки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.