Изучены возможности формирования сфокусированных ионных пучков низкой энергии (от 0.8 до 1.5 keV) с высокой плотностью тока (более 10 mA· cm^-2) в фокусе (с размером пятна не более 1 mm). Исследование проводится в рамках развития технологии ионно-пучкового травления, которое является одним из этапов создания оптических элементов для ультрафиолетового и рентгеновского излучения. Решается задача оптимизации системы формирования сфокусированного ионного пучка путем численного моделирования. Целью оптимизации является получение пучка с максимальной средней плотностью тока в пятне диаметром 1 mm при минимальном токе пучка вне этого пятна. Также исследуются характеристики сфокусированного ионного пучка (пиковая плотность тока и ширина пучка на половине от максимального уровня интенсивности) в зависимости от его полного тока, финальной энергии и степени компенсации пространственного заряда. Ключевые слова: сфокусированный ионный пучок, система формирования ионного пучка, ионно-пучковое травление, численное моделирование.