Поверхностная генерация в микролазерах на основе вертикального микрорезонатора
Российский научный фонд, 22-19-00221-П
НИУ ВШЭ, Программа фундаментальных исследований
Бабичев А.В.
1, Махов И.С.2, Крыжановская Н.В.2, Задиранов Ю.М.1, Салий Ю.А.1, Кулагина М.М.1, Ковач Я.Н.1,3, Бобров М.А.1, Васильев А.П.1, Блохин С.A.1, Малеев Н.А.1, Карачинский Л.Я.3, Новиков И.И.3, Егоров А.Ю.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия

Поступила в редакцию: 14 июля 2025 г.
В окончательной редакции: 6 августа 2025 г.
Принята к печати: 11 августа 2025 г.
Выставление онлайн: 30 сентября 2025 г.
Продемонстрирована генерация в микролазерах на основе вертикального микрорезонатора при температуре 244 K. Пороговая поглощенная оптическая мощность, длина волны генерации и добротность микролазера с диаметром 4 μm составили ~2.8 mW, 989 nm и 12 000 соответственно. Минимальная пороговая поглощенная оптическая мощность (250 μW) соответствует температуре 168 K. Ключевые слова: микролазеры, вертикальный микрорезонатор, квантовые точки, механизм Странского-Крастанова, оптические резервуарные вычисления.
- C. Mead, Proc. IEEE, 78 (10), 1629 (1990). DOI: 10.1109/5.58356
- T. Heuser, J. Grose, S. Holzinger, M.M. Sommer, S. Reitzenstein, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 26 (1), 1900109 (2020). DOI: 10.1109/jstqe.2019.2925968
- K. Vandoorne, W. Dierckx, B. Schrauwen, D. Verstraeten, R. Baets, P. Bienstman, J. Van Campenhout, Opt. Express, 16 (15), 11182 (2008). DOI: 10.1364/oe.16.011182
- L. Larger, M.C. Soriano, D. Brunner, L. Appeltant, J.M. Gutierrez, L. Pesquera, C.R. Mirasso, I. Fischer, Opt. Express, 20 (3), 3241 (2012). DOI: 10.1364/OE.20.003241
- J. Bueno, S. Maktoobi, L. Froehly, I. Fischer, M. Jacquot, L. Larger, D. Brunner, Optica, 5 (6), 756 (2018). DOI: 10.1364/OPTICA.5.000756
- M.S. Kulkarni, C. Teuscher, in 2012 IEEE/ACM Int. Symp. on nanoscale architectures (NANOARCH) (IEEE, 2012), p. 226. DOI: 10.1145/2765491.2765531
- F. Duport, B. Schneider, A. Smerieri, M. Haelterman, S. Massar, Opt. Express, 20 (20), 22783 (2012). DOI: 10.1364/OE.20.022783
- D. Brunner, I. Fischer, Opt. Lett., 40 (16), 3854 (2015). DOI: 10.1364/ol.40.003854
- M. Pfluger, D. Brunner, T. Heuser, J.A. Lott, S. Reitzenstein, I. Fischer, Opt. Lett., 49 (9), 2285 (2024). DOI: 10.1364/ol.518946
- A. Babichev, I. Makhov, N. Kryzhanovskaya, A. Blokhin, Y. Zadiranov, Y. Salii, M. Kulagina, M. Bobrov, A. Vasil'ev, S. Blokhin, N. Maleev, M. Tchernycheva, L. Karachinsky, I. Novikov, A. Egorov, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 31 (5), 1900208 (2025). DOI: 10.1109/jstqe.2024.3494245
- C.-W. Shih, I. Limame, S. Kruger, C.C. Palekar, A. Koulas-Simos, D. Brunner, S. Reitzenstein, Appl. Phys. Lett., 122 (15), 151111 (2023). DOI: 10.1063/5.0143236
- G. Bjork, Y. Yamamoto, IEEE J. Quantum Electron., 27 (11), 2386 (1991). DOI: 10.1109/3.100877
- A. Babichev, I. Makhov, N. Kryzhanovskaya, S. Troshkov, Y. Zadiranov, Y. Salii, M. Kulagina, M. Bobrov, A. Vasil'ev, S. Blokhin, N. Maleev, L. Karachinsky, I. Novikov, A. Egorov, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 31 (2), 1502808 (2025). DOI: 10.1109/jstqe.2024.3503724
- A.V. Babichev, E.V. Nikitina, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, A.Yu. Egorov, in 2024 Int. Conf. on electrical engineering and photonics (EExPolytech) (IEEE, 2024), p. 266. DOI: 10.1109/EExPolytech62224.2024.10755847