Вышедшие номера
Магниторезистивность композитов на основе манганита La0.7Sr0.3MnO3 и оксидов NiO, TiO2
Федеральный исследовательский центр Южный научный центр Российской академии наук, государственное задание, 125011400232-3
Утоплов А.А. 1, Пруцакова Н.В. 2, Чебанова Е.В. 2, Назаренко А.В. 3, Рудская А.Г. 1, Летовальцев А.О. 1, Кабиров Ю.В. 1
1Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия
2Донской государственный технический университет, Ростов-на-Дону, Россия
3Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
Email: an.ut1@yandex.ru, shpilevay@mail.ru, starphish@yandex.ru, avnazarenko1@yandex.ru, arudskaya@yandex.ru, micio1@mail.ru, salv62@mail.ru
Поступила в редакцию: 15 мая 2025 г.
В окончательной редакции: 21 июля 2025 г.
Принята к печати: 9 августа 2025 г.
Выставление онлайн: 30 сентября 2025 г.

Исследованы магниторезистивные свойства керамических композитов на основе ферромагнетика La0.7Sr0.3MnO3 и оксидов никеля, титана с различным соотношением компонентов. Для изготовления композитов использованы два способа: прокаливание составов La0.7Sr0.3MnO3 в смеси с дисперсными порошками титана и никеля и La0.7Sr0.3MnO3 в смеси с оксидами этих металлов при температуре 1150 oC. Для составов 98 % La0.7Sr0.3MnO3/2 % TiO2 и 88 % La0.7Sr0.3MnO3/12 % NiO (mass%) отрицательная магниторезистивность достигает 7.5 % в постоянном магнитном поле 15 kOe при комнатной температуре. Ключевые слова: ферромагнетик, оксиды, манганит, композит, спин-зависимое туннелирование, отрицательная магниторезистивность.
  1. M.N. Baibich, J.M. Broto, A. Fert, F. Nguyen Van Dau, F. Petroff, Phys. Rev. Lett., 61 (21), 2472 (1988). DOI: 10.1103/PhysRevLett.61.2472
  2. O. Vitayaya, P.Z.Z. Nehan, D.R. Munazat, M.T.E. Marawan, B. Kurniawan, RSC Adv., 14, 18617 (2024). DOI: 10.1039/d4ra01989j
  3. С.А. Гриднев, Ю.Е. Калинин, А.В. Ситников, О.В. Стогней, Нелинейные явления в нано- и микрогетерогенных системах (Бином, М., 2012), с. 76, 212--234
  4. J.C. Slonczewski, Phys. Rev. B, 39 (10), 6995 (1989). DOI: 10.1103/PhysRevB.39.6995
  5. Н.В. Волков, УФН, 182 (3), 263 (2012). DOI: 10.3367/UFNr.0182.201203b.0263 [N.V. Volkov, Phys. Usp., 55 (3), 250 (2012). DOI: 10.3367/UFNe.0182.201203b.0263]
  6. Ю.В. Кабиров, В.Г. Гавриляченко, А.С. Богатин, Н.В. Лянгузов, Т.В. Гавриляченко, Б.С. Медведев, Письма в ЖТФ, 42 (6), 1 (2016). [Yu.V. Kabirov, V.G. Gavrilyachenko, A.S. Bogatin, N.V. Lyanguzov, T.V. Gavrilyachenko, B.S. Medvedev, Tech. Phys. Lett., 42 (3), 278 (2016). DOI: 10.1134/S1063785016030214]
  7. А.А. Утоплов, Н.В. Пруцакова, А.Г. Рудская, А.В. Назаренко, М.В. Белокобыльский, Ю.В. Кабиров, Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов, 16, 307 (2024). DOI: 10.26456/pcascnn/2024.16.307
  8. P. Kameli, H. Salamati, M. Eshraghi, M.R. Mohammadizadeh, J. Appl. Phys., 98 (10), 043908 (2005). DOI: 10.1063/1.2032614
  9. A. Gaur, G.D. Varma, H.K. Singh, J. Phys. D, 39, 3531 (2006). DOI: 10.1088/0022-3727/39/16/002
  10. A. Gaur, G.D. Varma, Solid State Commun., 139, 310 (2006). DOI: 10.1016/j.ssc.2006.05.018