Вышедшие номера
Дно размерной подзоны в сверхрешеткe с сильно связанными мелкими квантовыми ямами
Пашковский А.Б.1
1АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
Email: solidstate10@mail.ru
Поступила в редакцию: 20 июня 2025 г.
В окончательной редакции: 16 июля 2025 г.
Принята к печати: 25 июля 2025 г.
Выставление онлайн: 30 сентября 2025 г.

На основе аналитического решения дисперсионного уравнения проведена оценка энергетического положения дна размерной подзоны в мелких сверхрешетках. Показано, что для верхних долин сверхрешеток GaAs/AlAs, используемых в гетероструктурах полевых транзисторов, глубина дна размерной подзоны относительно верха барьера находится на уровне 0.11-0.13 eV. Ключевые слова: сверхрешетка, размерные подзоны, потенциальный барьер.
  1. A.B. Pashkovskii, S.A. Bogdanov, A.K. Bakarov, A.B. Grigorenko, K.S. Zhuravlev, V.G. Lapin, V.M. Lukashin, I.A. Rogachev, E.V. Tereshkin, S.V. Shcherbakov, IEEE Trans. Electron Dev., 68 (1), 53 (2021). DOI: 10.1109/TED.2020.3038373
  2. А.Б. Пашковский, С.А. Богданов, А.К. Бакаров, К.С. Журавлев, В.Г. Лапин, В.М. Лукашин, С.Н. Карпов, И.А. Рогачев, Е.В. Терешкин, ФТП, 57 (1), 21 (2023). DOI: 10.21883/FTP.2023.01.54926.3554 [A.B. Pashkovskii, S.A. Bogdanov, A.K. Bakarov, R.S. Zhuravlev, V.G. Lapin, V.M. Lukashin, S.N. Karpov, I.A. Rogachev, E.V. Tereshkin, Semiconductors, 57 (1), 20 (2023). DOI: 10.21883/SC.2023.01.55616.3554]
  3. D.A. Safonov, A.N. Vinichenko, Yu.D. Sibirmovsky, N.I. Kargin, I.S. Vasil'evskii, IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng., 498, 012031 (2019). DOI: 10.1088/1757-899X/498/1/012031
  4. А.Н. Виниченко, В.П. Гладков, Н.И. Каргин, М.Н. Стриханов, И.С. Васильевский, ФТП, 48 (12), 1660 (2014). [A.N. Vinichenko, V.P. Gladkov, N.I. Kargin, M.N. Strikhanov, I.S. Vasil'evskii, Semiconductors, 48 (12), 1619 (2014). DOI: 10.1134/S1063782614120227]
  5. S. Adachi, Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors (John Wiley \& Sons, N.Y., 2009)
  6. В.П. Драгунов, И.Г. Неизвестный, В.А. Гридчин, Основы наноэлектроники (Логос, М., 2006)
  7. М. Херман, Полупроводниковые сверхрешетки (Мир, М., 1989)
  8. M. Fischetti, IEEE Trans. Electron Dev., 38 (3), 634 (1991). DOI: 101109/16.75176
  9. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan, Appl. Phys. Lett., 89 (3), 5815 (2001). DOI: 101063/1.1368156