Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Дно размерной подзоны в сверхрешеткe с сильно связанными мелкими квантовыми ямами
1АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия 
Email: solidstate10@mail.ru
Поступила в редакцию: 20 июня 2025 г.
В окончательной редакции: 16 июля 2025 г.
Принята к печати: 25 июля 2025 г.
Выставление онлайн: 30 сентября 2025 г.
На основе аналитического решения дисперсионного уравнения проведена оценка энергетического положения дна размерной подзоны в мелких сверхрешетках. Показано, что для верхних долин сверхрешеток GaAs/AlAs, используемых в гетероструктурах полевых транзисторов, глубина дна размерной подзоны относительно верха барьера находится на уровне 0.11-0.13 eV. Ключевые слова: сверхрешетка, размерные подзоны, потенциальный барьер.
- A.B. Pashkovskii, S.A. Bogdanov, A.K. Bakarov, A.B. Grigorenko, K.S. Zhuravlev, V.G. Lapin, V.M. Lukashin, I.A. Rogachev, E.V. Tereshkin, S.V. Shcherbakov, IEEE Trans. Electron Dev., 68 (1), 53 (2021). DOI: 10.1109/TED.2020.3038373
- А.Б. Пашковский, С.А. Богданов, А.К. Бакаров, К.С. Журавлев, В.Г. Лапин, В.М. Лукашин, С.Н. Карпов, И.А. Рогачев, Е.В. Терешкин, ФТП, 57 (1), 21 (2023). DOI: 10.21883/FTP.2023.01.54926.3554 [A.B. Pashkovskii, S.A. Bogdanov, A.K. Bakarov, R.S. Zhuravlev, V.G. Lapin, V.M. Lukashin, S.N. Karpov, I.A. Rogachev, E.V. Tereshkin, Semiconductors, 57 (1), 20 (2023). DOI: 10.21883/SC.2023.01.55616.3554]
- D.A. Safonov, A.N. Vinichenko, Yu.D. Sibirmovsky, N.I. Kargin, I.S. Vasil'evskii, IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng., 498, 012031 (2019). DOI: 10.1088/1757-899X/498/1/012031
- А.Н. Виниченко, В.П. Гладков, Н.И. Каргин, М.Н. Стриханов, И.С. Васильевский, ФТП, 48 (12), 1660 (2014). [A.N. Vinichenko, V.P. Gladkov, N.I. Kargin, M.N. Strikhanov, I.S. Vasil'evskii, Semiconductors, 48 (12), 1619 (2014). DOI: 10.1134/S1063782614120227]
- S. Adachi, Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors (John Wiley \& Sons, N.Y., 2009)
- В.П. Драгунов, И.Г. Неизвестный, В.А. Гридчин, Основы наноэлектроники (Логос, М., 2006)
- М. Херман, Полупроводниковые сверхрешетки (Мир, М., 1989)
- M. Fischetti, IEEE Trans. Electron Dev., 38 (3), 634 (1991). DOI: 101109/16.75176
- I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan, Appl. Phys. Lett., 89 (3), 5815 (2001). DOI: 101063/1.1368156
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
