Исследована зависимость характеристик монолитных детекторов позитронно-эмиссионных томографов от толщины сцинтилляционного кристалла и степени обработки поверхности. Для оценки разрешающей способности пластины использовалась искусственная нейронная сеть. Для расчетов применялась модель детектора на основе GEANT4. Модель состояла из кристалла Lu₂SiO_5-z:Y³⁺:Ce³⁺:Ca²⁺ с лицевой стороной 57.6x 57.6 mm, соединенного с 64-канальным кремниевым фотоумножителем. Данные набирались для четырех вариантов детектора. Детектор облучался изотропным источником γ-квантов энергии 511 keV, находившимся на удалении в 35 cm. Наилучший результат был получен для детектора с 6 mm пластиной с грубой полировкой с разрешением 0.57± 0.01 mm в плоскости XY и 0.89± 0.01 mm по глубине (координате Z). Ключевые слова: сцинтилляционные детекторы, позитронно-эмиссионная томография, искусственные нейронные сети, моделирование. DOI: 10.21883/0000000000