Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2025, выпуск 20 » Статья стр. 50
<<<
Влияние промежуточного слоя на процесс формирования и свойства наноструктурированных пленок ITO
Марков Л.К. 1, Смирнова И.П. 1, Павлюченко А.С. 1, Яговкина М.А. 1, Нащекин А.В. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: l.markov@mail.ioffe.ru, irina@quantum.ioffe.ru, a.s.pavluchenko@mail.ioffe.ru, ymasha@mail.ioffe.ru, Nashchekin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 19 мая 2025 г.
В окончательной редакции: 8 июля 2025 г.
Принята к печати: 17 июля 2025 г.
Выставление онлайн: 16 сентября 2025 г.
PDF версия
Исследован рост наноструктурированных пленок, полученных методом магнетронного распыления на стеклянные подложки с предварительно нанесенными плотными слоями оксида индия-олова (ITO) и без них. Показано, что промежуточный слой ITO облегчает зарождение нитевидных нанокристаллов при пониженных температурах на начальных стадиях роста пленок. Оптические измерения продемонстрировали просветляющую способность слоя нанокристаллов. С учетом пониженного поверхностного сопротивления получаемых пленок предложенный метод перспективен для широкого круга приложений, в том числе для изготовления прозрачных электродов оптоэлектронных приборов. Ключевые слова: прозрачные проводящие оксиды, оксид индия-олова, ITO, наноструктурированные покрытия.
  1. T. Chaikeeree, N. Mungkung, N. Kasayapanand, H. Nakajima, T. Lertvanithphol, K. Tantiwanichapan, A. Sathukarn, M. Horprathum, Opt. Mater., 129, 112439 (2022). DOI: 10.1016/J.OPTMAT.2022.112439
  2. X. Zheng, X. Qiao, F. Luo, B. Wan, C. Zhang, Sens. Actuators B, 346, 130440 (2021). DOI: 10.1016/J.SNB.2021.130440
  3. J. Suo, K.X. Jiao, J.H. Yi, D. Fang, O. Ruzimuradov, J. Cent. South Univ., 31 (3), 747 (2024). DOI: 10.1007/s11771-024-5590-y
  4. Y. Ding, Y. Lin, Y. Zhang, H. Jiang, M. Su, E. Xie, Z. Zhang, Appl. Phys. Lett., 125 (6), 063902 (2024). DOI: 10.1063/5.0220141
  5. J. Suo, K. Jiao, D. Fang, H. Bu, Y. Liu, F. Li, O. Ruzimuradov, Vacuum, 204, 111338 (2022). DOI: 10.1016/J.VACUUM.2022.111338
  6. L. Filatov, V. Chernyavsky, I. Ezhov, L. Markov, A. Pavluchenko, I. Smirnova, P. Vishniakov, N. Yurchenko, P. Zhukov, M. Maximov, Mater. Today Commun., 44, 112116 (2025). DOI: 10.1016/J.MTCOMM.2025.112116
  7. A.S. Pavluchenko, L.K. Markov, I.P. Smirnova, V.V. Aksenova, M.V. Mesh, D.S. Kolokolov, Mater. Lett., 372, 137040 (2024). DOI: 10.1016/J.MATLET.2024.137040
  8. Z. An, Y. Shen, X. Xu, F. Shi, F. Song, Y. Yu, J. Dong, Y. Xu, L. Zhang, J. Zhao, J. Nanopart. Res., 26 (6), 132 (2024). DOI: 10.1007/s11051-024-06044-w
  9. G. Meng, T. Yanagida, K. Nagashima, H. Yoshida, M. Kanai, A. Klamchuen, F. Zhuge, Y. He, S. Rahong, X. Fang, S. Takeda, T. Kawai, J. Am. Chem. Soc., 135 (18), 7033 (2013). DOI: 10.1021/ja401926u
  10. C. O'Dwyer, M. Szachowicz, G. Visimberga, V. Lavayen, S.B. Newcomb, C.M.S. Torres, Nat. Nanotechnol., 4 (4), 239 (2009). DOI: 10.1038/nnano.2008.418
  11. S.M. Yang, H.K. Yen, K.C. Lu, Nanomaterials, 12 (6), 897 (2022). DOI: 10.3390/nano12060897
  12. Y. Shen, Y. Zhao, J. Shen, X. Xu, JOM, 69 (7), 1155 (2017). DOI: 10.1007/s11837-017-2353-3
  13. Y. Zhang, Q. Li, Z. Tian, P. Hu, X. Qin, F. Yun, SN Appl. Sci., 2 (2), 264 (2020). DOI: 10.1007/s42452-020-2050-7
  14. L.K. Markov, A.S. Pavluchenko, I.P. Smirnova, V.V. Aksenova, M.A. Yagovkina, V.A. Klinkov, Thin Solid Films, 774, 139848 (2023). DOI: 10.1016/J.TSF.2023.139848
  15. H.K. Yu, J.L. Lee, Sci. Rep., 4 (1), 6589 (2014). DOI: 10.1038/srep06589
  16. H.K. Yu, W.J. Dong, G.H. Jung, J.L. Lee, ACS Nano, 5 (10), 8026 (2011). DOI: 10.1021/nn2025836

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme