Вышедшие номера
Резонансы рельефных треугольных решеток для ввода/вывода терагерцевого излучения в полупроводниках А3В5
Горай Л.И.1,2,3,4, Костромин Н.А.1,2, Дашков А.C.1,2, Буравлев А.Д.1,3,4,5
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Университет при Межпарламентской Ассамблее ЕврАзЭС, Санкт-Петербург, Россия
5Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: lig@pcgrate.com
Поступила в редакцию: 20 мая 2024 г.
В окончательной редакции: 16 июня 2024 г.
Принята к печати: 17 июня 2024 г.
Выставление онлайн: 23 августа 2024 г.

С помощью численного моделирования получены дифракционные эффективности рельефных полупроводниковых решеток в терагерцевом диапазоне, а также рассмотрены свойства рельефных полупроводниковых решеток с треугольным симметричным профилем штрихов. Показано, что в таких решетках поддерживаются три типа резонансов: плазмон-поляритонные, рэлеевский и связанный с глубиной штриха. Диэлектрическая проницаемость InSb, GaAs и Al0.3Ga0.7As при заданной температуре бралась из литературных данных или расчетов с использованием модели Друде-Лоренца c учетом фононов. Установлено, что решетки данного типа в отличие от решеток с другими профилями штриха демонстрируют очень глубокие и узкие плазмон-поляритонные и рэлеевские резонансы. Ключевые слова: терагерцевый диапазон, полупроводники А3В5, треугольные дифракционные решетки, плазмон-поляритонный резонанс.