Вышедшие номера
Исследование методами электронной оже-спектроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии длины свободного пробега электрона в нанопленках иттербия
Russian Science Foundation , 23-22-00052
Кузьмин М.В. 1, Митцев М.А.1, Ремеле В.Е. 1, Сорокина С.В. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: m.kuzmin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 16 февраля 2024 г.
В окончательной редакции: 17 мая 2024 г.
Принята к печати: 24 мая 2024 г.
Выставление онлайн: 13 августа 2024 г.

С помощью методов электронной оже-спектроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии измерена длина свободного пробега электрона в иттербии. Показано, что ее величина является аномально высокой в двухвалентных металлических пленках (~ 13-15 Angstrem при энергии 92 eV). При переходе иттербия в трехвалентное состояние длина свободного пробега становится близка к средним значениям для большинства металлов. Это связано с промотированием 4f-электрона на 5d-уровень в валентной зоне и увеличением сечения возбуждения плазмонных потерь в пленках Yb3+. Ключевые слова: длина свободного пробега, электронная спектроскопия, иттербий, электронная структура.