Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2024, выпуск 18 » Статья стр. 11
<<<>>>
Синтез эпитаксиальных пленок ZnO при комнатной температуре с высокими скоростями роста методом магнетронного распыления на постоянном токе
Исмаилов А.М. 1, Гуйдалаева Т.А.1, Муслимов А.Э.2, Рабаданов М.Р. 1, Рабаданов М.Х.1
1Дагестанский государственный университет, Махачкала, Россия
2Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
Email: egdada@mail.ru, taiysiy@yandex.ru, amuslimov@mail.ru, r777mr@mail.ru, rab_mur@mail.ru
Поступила в редакцию: 10 января 2024 г.
В окончательной редакции: 28 апреля 2024 г.
Принята к печати: 24 мая 2024 г.
Выставление онлайн: 13 августа 2024 г.
PDF версия
Методом магнетронного распыления керамической мишени ZnO на постоянном токе в среде кислорода на подложках сапфира получены эпитаксиальные пленки оксида цинка ((0001)ZnO||(1120)Al2O3) с рекордно высокой скоростью роста (7 nm/s) и низкой температурой эпитаксии (35oС). Установлено, что для роста эпитаксиальных пленок ZnO необходимым условием является оптимальное местоположение подложки в области магнетронной плазмы, соответствующее значению плавающего потенциала на подложке 9-12 V. Ключевые слова: ZnO, эпитаксиальные пленки, метод магнетронного распыления, скорость роста пленок, подложки сапфира.
  1. F. Hadj-Larbi, R. Serhane, Sensors Actuators A, 292, 169 (2019). DOI: 10.1016/j.sna.2019.03.037
  2. W. Zhang, D. Jiang, M. Zhao, Y. Duan, X. Zhou, X. Yang, C. Shan, J. Qin, S. Gao, Q. Liang, J. Hou, J. Appl. Phys., 125, 024502 (2019). DOI: 10.1063/1.5057371
  3. X.-L. Lu, X.-В. Guo, F.-С. Su, Z. Su, W.-H. Qiu, Y.-P. Jiang, W.-H. Li, Z.-H. Tang, X.-G. Tang, J. Appl. Phys., 133, 075301 (2023). DOI: 10.1063/5.0133534
  4. K. Natu, M. Laad, B. Ghule, A. Shalu, J. Appl. Phys., 134, 190701 (2023). DOI: 10.1063/5.0169308
  5. R. Triboulet, Prog. Cryst. Growth Charact. Mater., 60, 1 (2014). DOI: 10.1016/j.pcrysgrow.2013.12.001
  6. P. Scajev, S. Miasojedovas, M. Mazuronyte, L. Chang, M.C. Chou, J. Appl. Phys., 132, 144501 (2022). DOI: 10.1063/5.0108890
  7. J. Wang, P. Yang, Vacuum, 220, 112844 (2024). DOI: 10.1016/j.vacuum.2023.112844
  8. P. Gnanasambandan, N. Adjeroud, R. Leturcq, J. Vac. Sci. Technol. A, 40, 062413 (2022). DOI: 10.1116/6.0001925
  9. T.A. Heuser, C.A. Chapin, M.A. Holliday, Y. Wang, D.G. Senesky, J. Appl. Phys., 131, 155701 (2022). DOI: 10.1063/5.0077210
  10. R. Triboulet, J. Perriere, Prog. Cryst. Growth Charact. Mater., 47, 65 (2003). DOI: 10.1016/j.pcrysgrow.2005.01.003
  11. I.-S. Kim, S.-H. Jeong, S.S. Kim, B.-T. Lee, Semicond. Sci. Technol., 19, L29 (2004). DOI: 10.1088/0268-1242/19/3/L06
  12. K.C. Ruthe, D.J. Cohen, S.A. Barnett, J. Vac. Sci. Technol. A, 22, 2446 (2004). DOI: 10.1116/1.1807394
  13. K. Kuwahara, N. Itagaki, K. Nakahara, D. Yamashita, G. Uchida, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, Thin Solid Films, 520, 4674 (2012). DOI: 10.1016/j.tsf.2011.10.136
  14. S.W. Shin, G.L. Agawane, I.Y. Kim, Y.B. Kwon, I.O. Jung, M.G. Gang, A.V. Moholkar, J.-H. Moon, J.H. Kim, J.Y. Lee, Appl. Surf. Sci., 258, 5073 (2012). DOI: 10.1016/j.apsusc.2012.01.109
  15. S.H. Seo, H.C. Kang, Mater. Lett., 98, 131 (2013). DOI: 10.1016/j.matlet.2013.01.126
  16. H.N. Riise, V.S. Olsen, A. Azarov, A. Galeckas, T.N. Sky, B.G. Svensson, E. Monakhov, Thin Solid Films, 601, 18 (2016). DOI: 10.1016/j.tsf.2015.09.043
  17. A. Akhmedov, A. Abduev, E. Murliev, A. Asvarov, A. Muslimov, V. Kanevsky, Materials, 14, 6859 (2021). DOI: 10.3390/ma14226859
  18. F. Arab, F. Kanouni, R. Serhane, Y. Pennec, Mater. Today Commun., 38, 107719 (2024). DOI: 10.1016/j.mtcomm.2023.107719
  19. M.Z. Aslam, H. Zhang, V.S. Sreejith, M. Naghdi, S. Ju, Measurement, 222, 113657 (2023). DOI: 10.1016/j.measurement.2023.113657
  20. G. Fan, Y. Li, C. Hu, L. Lei, D. Zhao, H. Li, Z. Zhen, Opt. Laser Technol., 63, 62 (2014). DOI: 10.1016/j.optlastec.2014.04.001
  21. Т.Д. Шермергор, Н.Н. Стрельцова, Пленочные пьезоэлектрики (Радио и связь, М., 1986)
  22. А.М. Исмаилов, Л.Л. Эмирасланова, М.Х. Рабаданов, М.Р. Рабаданов, И.Ш. Алиев, Письма в ЖТФ, 44 (12), 52 (2018). DOI: 10.21883/PJTF.2018.12.46291.16792 [A.M. Ismailov, L.L. Emiraslanova, M.Kh. Rabadanov, M.R. Rabadanov, I.Sh. Aliev, Tech. Phys. Lett., 44, 528 (2018). DOI: 10.1134/S1063785018060202].

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme