Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2024, выпуск 16 » Статья стр. 7
<<<>>>
Пассивация поверхности CdHgTe с использованием низкотемпературного плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения HfO2
Russian Science Foundation, 21-72-10134
Закиров Е.Р.1, Сидоров Г.Ю.1, Краснова И.А.1, Голяшов В.А.1, Пономарев С.А.1, Терещенко О.Е.1, Марчишин И.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: erzakirov@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 2 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 25 апреля 2024 г.
Принята к печати: 26 апреля 2024 г.
Выставление онлайн: 22 июля 2024 г.
PDF версия
Изучены тонкие пленки оксида гафния, формируемые методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения на поверхности теллурида кадмия-ртути в диапазоне температур 80-160oC. Для характеризации свойств пленок и границы раздела диэлектрик-полупроводник применены следующие методики: рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, спектроскопия характеристических потерь энергий электронов, атомно-силовая микроскопия, спектральная эллипсометрия, а также анализ вольт-фарадных характеристик структур металл-диэлектрик-полупроводник. Представлены зависимости исследуемых параметров от температуры осаждения диэлектрика. Ключевые слова: CdHgTe, HfO2, плазменно-стимулированное атомно-слоевое осаждение, пассивация поверхности, структуры металл-диэлектрик-полупроводник.
  1. X. Wang, M. Wang, Y. Liao, H. Zhang, B. Zhang, T. Wen, J. Yi, L. Qiao, Sci. China Phys. Mech. Astron., 66 (3), 237302 (2023). DOI: 10.1007/s11433-022-2003-2
  2. I.D. Burlakov, N.A. Kulchitsky, A.V. Voitsekhovskii, S.N. Nesmelov, S.M. Dzyadukh, D.I. Gorn, J. Commun. Technol. Electron., 66 (9), 1084 (2021). DOI: 10.1134/S1064226921090035
  3. M. Kopytko, J. Sobieski, W. Gawron, P. Martyniuk, Sensors, 22 (3), 924 (2022). DOI: 10.3390/s22030924
  4. А.С. Казаков, А.В. Галеева, А.И. Артамкин, А.В. Иконников, С.Н. Чмырь, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.И. Банников, С.Н. Данилов, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов, Изв. РАН. Сер. физ., 87 (6), 843 (2023). DOI: 10.31857/S0367676523701466 [A.S. Kazakov, A.V. Galeeva, A.I. Artamkin, A.V. Ikonnikov, S.N. Chmyr, S.A. Dvoretskiy, N.N. Mikhailov, M.I. Bannikov, S.N. Danilov, L.I. Ryabova, D.R. Khokhlov, Bull. Russ. Acad. Sci. Phys., 87 (6), 739 (2023). DOI: 10.3103/S1062873823702118]
  5. F. Sizov, M. Vuichyk, K. Svezhentsova, Z. Tsybrii, S. Stariy, M. Smolii, Mater. Sci. Semicond. Process., 124, 105577 (2021). DOI: 10.1016/j.mssp.2020.105577
  6. J. Chen, Y. Lin, L. Li, X. Wang, W. Dong, L. Liu, Z. Yuan, X. Cui, S. Yuan, J. Mater. Res. Technol., 28, 3175 (2024). DOI: 10.1016/j.jmrt.2023.12.185
  7. C. Ailiang, S. Changhong, W. Fang, Y. Zhenhua, Infrared Phys. Technol., 114, 103667 (2021). DOI: 10.1016/j.infrared.2021.103667
  8. V.S. Meena, M.S. Mehata, Thin Solid Films, 731, 138751 (2021). DOI: 10.1016/j.tsf.2021.138751
  9. H.N. Abbasi, X. Qi, J. Gong, Z. Ju, S. Min, Y.-H. Zhang, Z. Ma, J. Appl. Phys., 134 (13), 135304 (2023). DOI: 10.1063/5.0161858
  10. I.I. Izhnin, I.I. Syvorotka, A.V. Voitsekhovskii, S.N. Nesmelov, S.M. Dzyadukh, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, Appl. Nanosci., 10 (8), 2486 (2019). DOI: 10.1007/s13204-019-01081-7
  11. D.V. Gorshkov, E.R. Zakirov, G.Yu. Sidorov, I.V. Sabinina, D.V. Marin, D.G. Ikusov, M.V. Yakushev, V.A. Golyashov, O.E. Tereshchenko, Appl. Phys. Lett., 121 (8), 081602 (2022). DOI: 10.1063/5.0096133
  12. D. Barreca, A. Milanov, R.A. Fischer, A. Devi, E. Tondello, Surf. Sci. Spectra, 14 (1), 34 (2021). DOI: 10.1116/11.20080401
  13. K.M. Kim, J.S. Jang, S.G. Yoon, J.Y. Yun, N.K. Chung, Materials, 13 (9), 2008 (2020). DOI: 10.3390/ma13092008
  14. J. Park, S. Heo, J.-G. Chung, H. Kim, H. Lee, K. Kim, G.-S. Park, Ultramicroscopy, 109 (9), 1183 (2009). DOI: 10.1016/j.ultramic.2009.04.005
  15. A.G. Shard, J. Vac. Sci. Technol. A, 38 (4), 041201 (2020). DOI: 10.1116/1.5141395
  16. V.G. Kesler, E.R. Zakirov, in 2014 15th Int. Conf. of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM) (IEEE, 2014), p. 33--35. DOI: 10.1109/EDM.2014.6882470
  17. R. Winter, J. Ahn, P.C. McIntyre, M. Eizenberg, J. Vac. Sci. Technol. B, 31 (3), 030604 (2013). DOI: 10.1116/1.4802478

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme