Пассивация поверхности CdHgTe с использованием низкотемпературного плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения HfO2
Russian Science Foundation, 21-72-10134
Закиров Е.Р.1, Сидоров Г.Ю.1, Краснова И.А.1, Голяшов В.А.1, Пономарев С.А.1, Терещенко О.Е.1, Марчишин И.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
![Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia](/images/e16.png)
Email: erzakirov@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 2 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 25 апреля 2024 г.
Принята к печати: 26 апреля 2024 г.
Выставление онлайн: 22 июля 2024 г.
Изучены тонкие пленки оксида гафния, формируемые методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения на поверхности теллурида кадмия-ртути в диапазоне температур 80-160oC. Для характеризации свойств пленок и границы раздела диэлектрик-полупроводник применены следующие методики: рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, спектроскопия характеристических потерь энергий электронов, атомно-силовая микроскопия, спектральная эллипсометрия, а также анализ вольт-фарадных характеристик структур металл-диэлектрик-полупроводник. Представлены зависимости исследуемых параметров от температуры осаждения диэлектрика. Ключевые слова: CdHgTe, HfO2, плазменно-стимулированное атомно-слоевое осаждение, пассивация поверхности, структуры металл-диэлектрик-полупроводник.
- X. Wang, M. Wang, Y. Liao, H. Zhang, B. Zhang, T. Wen, J. Yi, L. Qiao, Sci. China Phys. Mech. Astron., 66 (3), 237302 (2023). DOI: 10.1007/s11433-022-2003-2
- I.D. Burlakov, N.A. Kulchitsky, A.V. Voitsekhovskii, S.N. Nesmelov, S.M. Dzyadukh, D.I. Gorn, J. Commun. Technol. Electron., 66 (9), 1084 (2021). DOI: 10.1134/S1064226921090035
- M. Kopytko, J. Sobieski, W. Gawron, P. Martyniuk, Sensors, 22 (3), 924 (2022). DOI: 10.3390/s22030924
- А.С. Казаков, А.В. Галеева, А.И. Артамкин, А.В. Иконников, С.Н. Чмырь, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.И. Банников, С.Н. Данилов, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов, Изв. РАН. Сер. физ., 87 (6), 843 (2023). DOI: 10.31857/S0367676523701466 [A.S. Kazakov, A.V. Galeeva, A.I. Artamkin, A.V. Ikonnikov, S.N. Chmyr, S.A. Dvoretskiy, N.N. Mikhailov, M.I. Bannikov, S.N. Danilov, L.I. Ryabova, D.R. Khokhlov, Bull. Russ. Acad. Sci. Phys., 87 (6), 739 (2023). DOI: 10.3103/S1062873823702118]
- F. Sizov, M. Vuichyk, K. Svezhentsova, Z. Tsybrii, S. Stariy, M. Smolii, Mater. Sci. Semicond. Process., 124, 105577 (2021). DOI: 10.1016/j.mssp.2020.105577
- J. Chen, Y. Lin, L. Li, X. Wang, W. Dong, L. Liu, Z. Yuan, X. Cui, S. Yuan, J. Mater. Res. Technol., 28, 3175 (2024). DOI: 10.1016/j.jmrt.2023.12.185
- C. Ailiang, S. Changhong, W. Fang, Y. Zhenhua, Infrared Phys. Technol., 114, 103667 (2021). DOI: 10.1016/j.infrared.2021.103667
- V.S. Meena, M.S. Mehata, Thin Solid Films, 731, 138751 (2021). DOI: 10.1016/j.tsf.2021.138751
- H.N. Abbasi, X. Qi, J. Gong, Z. Ju, S. Min, Y.-H. Zhang, Z. Ma, J. Appl. Phys., 134 (13), 135304 (2023). DOI: 10.1063/5.0161858
- I.I. Izhnin, I.I. Syvorotka, A.V. Voitsekhovskii, S.N. Nesmelov, S.M. Dzyadukh, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, Appl. Nanosci., 10 (8), 2486 (2019). DOI: 10.1007/s13204-019-01081-7
- D.V. Gorshkov, E.R. Zakirov, G.Yu. Sidorov, I.V. Sabinina, D.V. Marin, D.G. Ikusov, M.V. Yakushev, V.A. Golyashov, O.E. Tereshchenko, Appl. Phys. Lett., 121 (8), 081602 (2022). DOI: 10.1063/5.0096133
- D. Barreca, A. Milanov, R.A. Fischer, A. Devi, E. Tondello, Surf. Sci. Spectra, 14 (1), 34 (2021). DOI: 10.1116/11.20080401
- K.M. Kim, J.S. Jang, S.G. Yoon, J.Y. Yun, N.K. Chung, Materials, 13 (9), 2008 (2020). DOI: 10.3390/ma13092008
- J. Park, S. Heo, J.-G. Chung, H. Kim, H. Lee, K. Kim, G.-S. Park, Ultramicroscopy, 109 (9), 1183 (2009). DOI: 10.1016/j.ultramic.2009.04.005
- A.G. Shard, J. Vac. Sci. Technol. A, 38 (4), 041201 (2020). DOI: 10.1116/1.5141395
- V.G. Kesler, E.R. Zakirov, in 2014 15th Int. Conf. of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM) (IEEE, 2014), p. 33--35. DOI: 10.1109/EDM.2014.6882470
- R. Winter, J. Ahn, P.C. McIntyre, M. Eizenberg, J. Vac. Sci. Technol. B, 31 (3), 030604 (2013). DOI: 10.1116/1.4802478
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.