Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2024, выпуск 16 » Статья стр. 3
>>>
Свойства гетероструктур AlP/Si, сформированных методом комбинированного плазмохимического и атомно-слоевого осаждения
Российский научный фонд, 21-79-10413
Гудовских А.С.1,2, Баранов А.И.1, Уваров А.В.1, Вячеславова Е.А.1, Максимова А.А.1,2, Никитина Е.В.1, Сошников И.П.1,3,4
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: gudovskikh@spbau.ru
Поступила в редакцию: 28 марта 2024 г.
В окончательной редакции: 12 апреля 2024 г.
Принята к печати: 22 апреля 2024 г.
Выставление онлайн: 22 июля 2024 г.
PDF версия
Впервые сформированы AlP/Si-гетероструктуры с помощью метода комбинированного плазмохимического и атомно-слоевого осаждения и проведены исследования их электронных свойств. Экспериментальная оценка разрыва зон проводимости Δ EC на границе AlP/Si дает значение 0.35± 0.10 eV, которое существенно меньше разрыва валентных зон, что открывает возможность использования AlP в качестве электронного селективного контакта к Si для солнечных элементов. Ключевые слова: фосфид алюминия, кремний, селективный контакт, солнечный элемент.
  1. M.A. Green, E.D. Dunlop, G. Siefer, M. Yoshita, N. Kopidakis, K. Bothe, X. Hao, Prog. Photovolt. Res. Appl., 31, 3 (2023). DOI: 10.1002/pip.3646
  2. J. Bullock, M. Hettick, J. Geissbuhler, A.J. Ong, T. Allen, C.M. Sutter-Fella, T. Chen, H. Ota, E.W. Schaler, S. De Wolf, C. Ballif, A. Cuevas, A. Javey, Nat. Energy, 1, 15031 (2016). DOI: 10.1038/nenergy.2015.31
  3. I. Sakata, H. Kawanami, Appl. Phys. Express, 1, 091201 (2008). DOI: 10.1143/APEX.1.091201
  4. P. Perfetti, F. Patella, F. Sette, C. Quaresima, C. Capasso, A. Savoia, G. Margaritondo, Phys. Rev. B, 30, 4533 (1984). DOI: 10.1103/PhysRevB.30.4533
  5. A.D. Katnani, G. Margaritondo, Phys. Rev. B, 28, 1944 (1983). DOI: 10.1103/PhysRevB.28.1944
  6. H. Wagner, T. Ohrdes, A. Dastgheib-Shirazi, B. Puthen-Veettil, D. Konig, P.P. Altermatt, J. Appl. Phys., 115, 044508 (2014). DOI: 10.1063/1.4863464
  7. S. Yun, Ch.-H. Kuo, P.-Ch. Lee, S.T. Ueda, V. Wang, H. Kashyap, A.J. Mcleod, Z. Zhang, Ch.H. Winter, A.C. Kummel, Appl. Surf. Sci., 619, 156727 (2023). DOI: 10.1016/j.apsusc.2023.156727
  8. A.V. Uvarov, A.S. Gudovskikh, V.N. Nevedomskiy, A.I. Baranov, D.A. Kudryashov, I.A. Morozov, J.-P. Kleider, J. Phys. D: Appl. Phys., 53, 345105 (2020). DOI: 10.1088/1361-6463/ab8bfd
  9. N.E. Christensen, Phys. Rev. B, 37, 4528 (1988). DOI: 10.1103/PhysRevB.37.4528
  10. Y. Hu, C. Qiu, T. Shen, K. Yang, H. Deng, J. Semicond., 42, 112102 (2021). DOI: 10.1088/1674-4926/42/11/112102
  11. S. Nagao, T. Fujimori, H. Gotoh, H. Fukushima, T. Takano, H. Ito, S. Koshihara, F. Minami, J. Appl. Phys., 81, 1417 (1997). DOI: 10.1002/(SICI)1521-3951(199901)211:1<63::AID-PSSB63>3.0.CO;2-G
  12. A.S. Gudovskikh, A.V. Uvarov, I.A. Morozov, A.I. Baranov, D.A. Kudryashov, E.V. Nikitina, A.A. Bukatin, K.S. Zelentsov, I.S. Mukhin, A. Levtchenko, S. Le Gall, J.-P. Kleider, J. Renew. Sustain. Energy, 10, 021001 (2018). DOI: 10.1063/1.5000256
  13. S.R. Forrest, in: Heterojunction band discontinuities: physics and device applications (Elsevier, 1987), p. 311

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme