Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2024, выпуск 11 » Статья стр. 42
<<<
Проводимость наноконтакта к AIIIAs- и AIIISb-полупроводникам со слоем естественного оксида
Russian science foundation, № 22-22-00121
Алексеев П.А.1, Куницына Е.В.1, Сунцова В.С.1, Баранов А.Н.2, Романов В.В.1, Моисеев К.Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Institute of Electronics and Systems, University of Montpellier, CNRS/Universite, Montpellier, France
Email: npoxep@gmail.com
Поступила в редакцию: 7 декабря 2023 г.
В окончательной редакции: 14 февраля 2024 г.
Принята к печати: 9 марта 2024 г.
Выставление онлайн: 2 мая 2024 г.
PDF версия
Исследованы поверхностные электронные явления в полупроводниках AIIIBV (AIIIAs и AIIISb) со слоем естественного оксида методами сканирующей зондовой микроскопии. Методом Кельвин-зонд-микроскопии показано, что работа выхода полупроводника определяется работой выхода образующегося при окислении приповерхностного слоя элемента V группы (As, Sb). Измерение вольт-амперных характеристик методом проводящей атомно-силовой микроскопии выявило, что проводимость в области точечного наноконтакта определяется сопротивлением растекания и величиной приповерхностного изгиба зон, зависящими от положения уровня Ферми в объеме полупроводника и работы выхода приповерхностного слоя. Ключевые слова: полупроводники AIIIBV, антимониды, арсениды, поверхностный оксид, сопротивление растекания, сканирующая зондовая микроскопия.
  1. B. Marozas, W. Hughes, X. Du, D. Sidor, G. Savich, G. Wicks, Opt. Mater. Express, 8 (6), 1419 (2018). DOI: 10.1364/OME.8.001419
  2. H.-U. Baier, L. Koenders, W. Monch, Solid State Commun., 58 (5), 327 (1986). DOI: 10.1016/0038-1098(86)90094-3
  3. K. Nishi, M. Yokoyama, S. Kim, H. Yokoyama, M. Takenaka, S. Takagi, J. Appl. Phys., 115 (3), 034515 (2014). DOI: 10.1063/1.4862486
  4. P.A. Alekseev, M.S. Dunaevskiy, G.E. Cirlin, R.R. Reznik, A.N. Smirnov, D.A. Kirilenko, V.Y. Davydov, V.L. Berkovits, Nanotechnology, 29 (31), 314003 (2018). DOI: 10.1088/1361-6528/aac480
  5. J. Freeouf, J. Woodall, Appl. Phys. Lett., 39 (9), 727 (1981). DOI: 10.1063/1.92863
  6. P.A. Alekseev, V.A. Sharov, M.S. Dunaevskiy, D.A. Kirilenko, I.V. Ilkiv, R.R. Reznik, G.E. Cirlin, V.L. Berkovits, Nano Lett., 19 (7), 4463 (2019). DOI: 10.1021/acs.nanolett.9b01264
  7. П.А. Алексеев, А.Н. Смирнов, В.А. Шаров, Б.Р. Бородин, Е.В. Куницына, Изв. РАН. Сер. физ., 87 (6), 829 (2023). DOI: 10.31857/S0367676523701430 [P.A. Alekseev, A.N. Smirnov, V.A. Sharov, B.R. Borodin, E.V. Kunitsyna, Bull. Russ. Acad. Sci. Phys., 87 (6), 728 (2023). DOI: 10.3103/S1062873823702040]
  8. P.A. Alekseev, I.A. Eliseyev, V.V. Romanov, K.D. Moiseev, E.V. Kunitsyna, B.R. Borodin, V.A. Sharov, A.N. Smirnov, V.Yu. Davydov, Appl. Phys. Lett., 123 (26), 261601 (2023). DOI: 10.1063/5.0164062
  9. B.R. Borodin, P.A. Alekseev, V. Khayrudinov, E. Ubyivovk, Yu. Berdnikov, N. Sibirev, H. Lipsanen, CrystEngComm, 25 (9), 1374 (2023). DOI: 10.1039/D2CE01438F
  10. В.В. Романов, К.Д. Моисеев, Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, Ю.П. Яковлев, ФТП, 42 (12), 1434 (2008) [V.V. Romanov, K.D. Moiseev, T.I. Voronina, T.S. Lagunova, Yu.P. Yakovlev, Semiconductors, 42 (12), 1403 (2008). DOI: 10.1134/S1063782608120051]
  11. W.E. Spicer, I. Lindau, P. Skeath, C.Y. Su, P. Chye, Phys. Rev. Lett., 44 (6), 420 (1980). DOI: 10.1103/PhysRevLett.44.420
  12. Т. Бланк, Ю. Гольдберг, ФТП, 41 (11), 1281 (2007). [T.V. Blank, Yu.A. Gol'dberg, Semiconductors, 41 (11), 1263 (2007). DOI: 10.1134/S1063782607110012]
  13. P. Dementyev, M. Dunaevskii, A. Ankudinov, I. Makarenko, V. Petrov, A. Titkov, A. Baranov, D. Yarekha, R. Laiho, Appl. Phys. Lett., 89 (8), 081103 (2006). DOI: 10.1063/1.2338002
  14. G. Greaves, S. Elliott, E. Davis, Adv. Phys., 28 (1), 49 (1979). DOI: 10.1080/00018737900101355
  15. J. Hauser, Phys. Rev. B, 9 (6), 2623 (1974). DOI: 10.1103/PhysRevB.9.2623

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme