Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2023, выпуск 2 » Статья стр. 14
<<<>>>
Активная копланарная линия передач на основе двухбарьерных GaAs/AlAs резонансно-туннельных диодов
DOI: 10.21883/PJTF.2023.02.54279.19395
Переводная версия: 10.21883/TPL.2023.01.55350.19395
Соболев А.С.1,2, Павлов А.Ю.3, Майтама М.В.3,4, Глинский И.А.5, Пономарев Д.С.2,3, Спирин К.Е.6, Жмудь Б.А.2, Хабибуллин Р.А. 2,3
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
2Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Москва, Россия
3Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова РАН, Москва, Россия
4Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана (Национальный исследовательский университет), Москва, Россия
5МИРЭА - Российский технологический университет, Москва, Россия
6Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Email: ponomarev_dmitr@mail.ru, khabibullin_r@mail.ru, khabibullin@isvch.ru
Поступила в редакцию: 18 октября 2022 г.
В окончательной редакции: 31 октября 2022 г.
Принята к печати: 9 ноября 2022 г.
Выставление онлайн: 25 декабря 2022 г.
PDF версия
Двухбарьерные GaAs/AlAs резонансно-туннельные диоды (РТД) являются перспективными элементами для создания генераторов субмиллиметрового и терагерцевого диапазонов частот. Образцы GaAs/AlAs РТД изготовлены и исследованы методом СВЧ-рефлектометрии, что позволило определить параметры эквивалентной схемы данных диодов. Теоретически показано, что копланарная линия передач с периодически включенными в нее GaAs/AlAs РТД является усиливающей до частоты 8 GHz. Ключевые слова: резонансно-туннельные диоды, активные линии передач, распределенные генераторы, диоды с двойными металлическими контактами.
  1. A.E. Yachmenev, S.S. Pushkarev, R.R. Reznik, R.A. Khabibullin, D.S. Ponomarev, Prog. Cryst. Growt. Charact. Mater., 66 (2), 100485 (2020). DOI: 10.1016/j.pcrysgrow.2020.100485
  2. A.E. Yachmenev, R.A. Khabibullin, D.S. Ponomarev, J. Phys. D: Appl. Phys., 55 (19), 193001 (2022). DOI: 10.1088/1361-6463/ac43dd
  3. H. Eisele, Electron. Lett., 46 (6), 422 (2010). DOI: 10.1049/el.2010.3362
  4. Д.В. Лаврухин, А.Э. Ячменев, Р.Р. Галиев, Р.А. Хабибуллин, Д.С. Пономарев, Ю.В. Федоров, П.П. Мальцев, ФТП, 48 (1), 73 (2014). [D.V. Lavrukhin, A.E. Yachmenev, R.R. Galiev, R.A. Khabibullin, D.S. Ponomarev, Yu.V. Fedorov, P.P. Maltsev, Semiconductors, 48 (1), 69 (2014). DOI: 10.1134/S1063782614010187]
  5. D. Ushakov, A. Afonenko, R. Khabibullin, D. Ponomarev, V. Aleshkin, S. Morozov, A. Dubinov, Opt. Express, 28 (17), 25371 (2020). DOI: 10.1364/OE.398552
  6. Д.В. Ушаков, А.А. Афоненко, И.А. Глинский, Р.А. Хабибуллин, Russ. Technol. J., 10 (3), 45 (2022). DOI: 10.32362/2500-316X-2022-10-3-45-55
  7. T. Maekawa, H. Kanaya, S. Suzuki, M. Asada, Appl. Phys. Express, 9 (2), 024101 (2016). DOI: 10.7567/APEX.9.024101
  8. H. Mizuta, T. Tanoue, The physics and applications of resonant tunneling diodes (Cambridge University Press, Cambridge, 1995)
  9. K. Kasagi, S. Suzuki, M. Asada, J. Appl. Phys., 125 (15), 151601 (2019). DOI: 10.1063/1.5051007
  10. A. Sobolev, S. Zaitsev-Zotov, M. Maytama, E. Klimov, A. Pavlov, D. Ponomarev, R. Khabibullin, Opt. Eng., 60 (8), 082019 (2021). DOI: 10.1117/1.OE.60.8.082018
  11. N.C. Kluksdahl, A.M. Kriman, D.K. Ferry, C. Ringhofer, Phys. Rev. B, 39 (11), 7720 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme