Вышедшие номера
GaN-полевой транзистор с эффективным теплоотводом на Si-подложке
Лукашин В.М.1, Пашковский А.Б.1, Пашковская И.В.1
1АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
Email: solidstate10@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 июля 2022 г.
В окончательной редакции: 23 сентября 2022 г.
Принята к печати: 9 ноября 2022 г.
Выставление онлайн: 25 декабря 2022 г.

Предложена простая конструкция полевого транзистора на основе GaN на Si-подложке с эффективным теплоотводом по слоям полиалмаза, сформированным на стенках заземляющих отверстий. По расчетам в результате введения такого теплоотвода при одинаковом среднем расстоянии между секциями затворов максимальная температура в канале GaN-транзистора на Si-подложке существенно уменьшается и становится сравнимой с максимальной температурой в канале GaN-транзистора на SiC-подложке. Ключевые слова: GaN-полевой транзистор, заземляющее отверстие, температура канала, полиалмаз.
  1. H. Wang, F. Wang, S. Li, T.Y. Huang, A.S. Ahmed, N.S. Mannem, J. Lee, E. Garay, D. Munzer, C. Snyder, S. Lee, H.T. Nguyen, M.E.D. Smith, Power amplifiers performance survey 2000-present [Электронный ресурс]. Режим доступа: https://gems.ece.gatech.edu/PA_survey.html
  2. B. Romanczyk, S. Wienecke, M. Guidry, H. Li, E. Ahmadi, X. Zheng, S. Keller, U.K. Mishra, IEEE Trans. Electron Dev., 65 (1), 45 (2018). DOI: 10.1109/TED.2017.2770087
  3. Nidhi, S. Dasgupta, S. Keller, J.S. Speck, U.K. Mishra, IEEE Electron Dev. Lett., 32 (12), 1683 (2011). DOI: 10.1109/LED.2011.2168558
  4. Y. Tang, K. Shinohara, D. Regan, A. Corrion, D. Brown, J. Wong, A. Schmitz, H. Fung, S. Kim, M. Micovic, IEEE Electron Dev. Lett., 36 (6), 549 (2015). DOI: 10.1109/LED.2015.2421311
  5. В. Ланин, Е. Телеш, Силовая электроника, N 3, 120 (2008)
  6. В. Ральченко, В. Конов, Электроника: наука, технология, бизнес, N 4, 58 (2007)
  7. В.Л. Ланин, А.П. Достанко, Е.В. Телеш, Формирование токопроводящих контактных соединений в изделиях электроники (Изд. центр БГУ, Минск, 2007)
  8. O. Seok, Y.-H. Choi, M. Kim, J. Kim, B. Hong, M.-K. Han, in CS MANTECH Conf. (Portland, Oregon, USA, 2010), p. 229
  9. P.C. Chao, K. Chu, J. Diaz, C. Creamer, S. Sweetland, R. Kallaher, C. McGray, G.D. Via, J. Blevins, MRS Adv., 1 (2), 147 (2016). DOI: 10.1557/adv.2016.176
  10. А.А. Гиппиус, Ж.Р. Паносян, К.Д. Турьян, Ю.А. Концевой, Д.Ф. Перн, Е.В. Енгибарян, С.С. Восканян, А.В. Степанян, Способ получения алмазоподобных пленок для инкапсуляции солнечных фотоэлектрических элементов, патент N 2244983 С1 (RU) (начало действия 14.07.2003, опубл. 20.01.2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.