Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2022, выпуск 22 » Статья стр. 7
<<<>>>
Критерий селективного роста III-V и III-N нитевидных нанокристаллов на маскированных подложках
DOI: 10.21883/PJTF.2022.22.53798.19350
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.11.54889.19350
СПбГУ , 93020138
Дубровский В.Г.1, Лещенко Е.Д.2
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2НТЦ микроэлектроники РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: dubrovskii@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 26 августа 2022 г.
В окончательной редакции: 26 августа 2022 г.
Принята к печати: 25 сентября 2022 г.
Выставление онлайн: 29 октября 2022 г.
PDF версия
Предложена модель начальной стадии нуклеации нитевидных нанокристаллов полупроводниковых соединений III-V, включая нитридные, при селективной эпитаксии на маскированных подложках с упорядоченными массивами отверстий. Получен критерий селективного роста, при котором нуклеация нитевидных нанокристаллов происходит только в отверстиях, а паразитный рост на поверхности маски отсутствует. Проведен анализ зон селективного роста в зависимости от температуры, потоков, радиуса отверстий и расстояния между ними. Ключевые слова: III-V нитевидные нанокристаллы, селективная эпитаксия, маскированная подложка, нуклеация.
  1. F. Glas, Phys. Rev. B, 74, 121302(R) (2006). DOI: 10.1103/PhysRevB.74.121302
  2. L.C. Chuang, M. Moewe, C. Chase, N.P. Kobayashi, C. Chang-Hasnain, S. Crankshaw, Appl. Phys. Lett., 90, 043115 (2007). DOI: 10.1063/1.2436655
  3. V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, X. Zhang, R.A. Suris, Cryst. Growth Des., 10, 3949 (2010). DOI: 10.1021/cg100495b
  4. J. Noborisaka, J. Motohisa, T. Fukui, Appl. Phys. Lett., 86, 213102 (2005). DOI: 10.1063/1.1935038
  5. K.P. Bassett, P.K. Mohseni, X. Li, Appl. Phys. Lett., 106, 133102 (2015). DOI: 10.1063/1.4916347
  6. Q. Gao, V.G. Dubrovskii, P. Caroff, J. Wong-Leung, L. Li, Y. Guo, L. Fu, H.H. Tan, C. Jagadish, Nano Lett., 16, 4361 (2016). DOI: 10.1021/acs.nanolett.6b01461
  7. M. Zeghouane, Y. Andre, G. Avit, J. Jridi, C. Bougerol, P.-M. Coulon, P. Ferret, D. Castelluci, E. Gil, P. Shields, V.G. Dubrovskii, A. Trassoudaine, Nano Futures, 4, 025002 (2020). DOI: 10.1088/2399-1984/ab8450
  8. S. Hertenberger, D. Rudolph, M. Bichler, J.J. Finley, G. Abstreiter, G.J. Koblmuller, Appl. Phys., 108, 114316 (2010). DOI: 10.1063/1.3525610
  9. V.O. Gridchin, L.N. Dvoretckaia, K.P. Kotlyar, R.R. Reznik, A.V. Parfeneva, A.S. Dragunova, N.V. Kryzhanovskaya, V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, Nanomaterials, 12, 2341 (2022). DOI: 10.3390/nano12142341
  10. J. Kruse, L. Lymperakis, S. Eftychis, A. Adikimenakis, G. Doundoulakis, K. Tsagaraki, M. Androulidaki, A. Olziersky, P. Dimitrakis, V. Ioannou-Sougleridis, J. Appl. Phys., 119, 224305 (2016). DOI: 10.1063/1.4953594
  11. F. Schuster, M. Hetzl, S. Weiszer, J.A. Garrido, M. De La Mata, C. Magen, J. Arbiol, M. Stutzmann, Nano Lett., 15, 1773 (2015). DOI: 10.1021/nl504446r
  12. C.-Y. Chi, C.-C. Chang, S. Hu, T.-W. Yeh, S.B. Cronin, P.D. Dapkus, Nano Lett., 13, 2506 (2013). DOI: 10.1021/nl400561j
  13. M. Friedl, K. Cerveny, P. Weigele, G. Tutuncuoglu, S. Marti-Sanchez, C. Huang, T. Patlatiuk, H. Potts, Z. Sun, M.O. Hill, L. Guniat, W. Kim, M. Zamani, V.G. Dubrovskii, J. Arbiol, L.J. Lauhon, D.M. Zumbuhl, A. Fontcuberta i Morral, Nano Lett., 18, 2666 (2018). DOI: 10.1021/acs.nanolett.8b00554
  14. V.G. Dubrovskii, S. Escobar Steinvall, V. de Mestral, R. Paul, J.-P. Leran, M. Zamani, E.Z. Stutz, A. Fontcuberta i Morral, Cryst. Growth Des., 21, 4732 (2021). DOI: 10.1021/acs.cgd.1c00569
  15. V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, V.M. Ustinov, J. Cryst. Growth, 289, 31 (2006). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2005.10.112
  16. P. Hanggi, P. Talkner, M. Borkovec, Rev. Mod. Phys., 62, 251 (1990). DOI: 10.1103/RevModPhys.62.251
  17. V.G. Dubrovskii, Yu.Yu. Hervieu, J. Cryst. Growth, 401, 431 (2014). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2014.01.015
  18. D. Dede, F. Glas, V. Piazza, N. Morgan, M. Friedl, L. Guniat, V.G. Dubrovski, A. Fontcuberta i Morral, Nanotechnology, in press (2022)
  19. В.Г. Дубровский, Письма в ЖТФ, 47 (12), 27 (2021). DOI: 10.21883/PJTF.2021.12.51063.18765 [V.G. Dubrovskii, Tech. Phys. Lett., 47, 601 (2021). DOI: 10.1134/S1063785021060213]
  20. V.G. Dubrovskii, Phys. Status Solidi B, 171, 345 (1992). DOI: 10.1002/pssb.2221710206

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme