"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Посвящается памяти В.Д. Александрова Влияние отжига в инертной атмосфере на электрические свойства кристаллических пленок пентацена
Министерство науки и высшего образования РФ , Государственное задание ФНИЦ ”Кристаллография и фотоника“ РАН c использованием научного оборудования ЦКП «Структурная диагностика материалов», проект RFMEF162119X0035
Юрасик Г.А. 1, Кулишов А.А. 2, Гиваргизов М.Е.2, Постников В.А. 2
1Центр фотохимии ФНИЦ "Кристаллография и фононика" РАН, Москва, Россия
2Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
Email: yurasik.georgy@yandex.ru, adakyla1255@gmail.com, mikgiv@mail.ru, postva@yandex.ru
Поступила в редакцию: 4 августа 2021 г.
В окончательной редакции: 27 августа 2021 г.
Принята к печати: 30 августа 2021 г.
Выставление онлайн: 3 октября 2021 г.

Представлены результаты исследования влияния отжига при 150oС в инертной атмосфере (Ar + 5% H2) на электрические свойства органических полевых транзисторов на основе пентацена. Кристаллические пленки пентацена толщиной 95± 5 nm были получены с помощью вакуумного термического напыления. Исследованы передаточные и выходные характеристики полевых транзисторов до и после отжига в течение 15 h. Установлено, что в результате термической обработки дырочная подвижность в режиме насыщения увеличилась в среднем на 30%, а пороговое напряжение уменьшилось приблизительно в 2 раза. По данным атомно-силовой микроскопии отжиг привел к снижению шероховатости поверхности пленок пентацена более чем в 2 раза, а также к заметному укрупнению зерен, что и привело к уменьшению концентрации ловушек для дырочного электротранспорта в канале полевого транзистора. Ключевые слова: пентацен, вакуумное термическое напыление, кристаллические пленки, органические полевые транзисторы, дырочная подвижность, отжиг в инертной атмосфере.
  1. В.Д. Александров, Высокомолекуляр. соединения A, 20 (9), 1943 (1978)
  2. S. Kania, W. Mycielski, A. Lipinski, Thin Solid Films, 61 (2), 229 (1979). DOI: 10.1016/0040-6090(79)90465-6
  3. M.A. Fusella, S. Yang, K. Abbasi, H.H. Choi, Z. Yao, V. Podzorov, A. Avishai, B.P. Rand, Chem. Mater., 29 (16), 6666 (2017). DOI: 10.1021/acs.chemmater.7b01143
  4. Y. Jin, Z. Rang, M.I. Nathan, P.P. Ruden, C.R. Newman, C.D. Frisbie, Appl. Phys. Lett., 85 (19), 4406 (2004). DOI: 10.1063/1.1814802
  5. X. Shen, Y. Wang, J. Li, Y. Chen, Z. Wang, W. Wang, L. Huang, L. Chi, Front. Mater., 7, 245 (2020). DOI: 10.3389/fmats.2020.00245
  6. D. Guo, S. Ikeda, K. Saiki, J. Appl. Phys., 99 (9), 094502 (2006). DOI: 10.1063/1.2193055
  7. D. Guo, S. Ikeda, K. Saiki, J. Appl. Phys., 105 (11), 113520 (2009). DOI: 10.1063/1.3132824
  8. T. Ahn, H. Jung, H.J. Suk, M.H. Yi, Synth. Met., 159 (13), 1277 (2009). DOI: 10.1016/j.synthmet.2009.02.023
  9. D.W. Chou, C.J. Huang, C.M. Su, C.F. Yang, W.R. Chen, T.H. Meen, Solid State Electron., 61 (1), 76 (2011). DOI: 10.1016/j.sse.2011.01.003
  10. H.S. Shin, H.J. Yun, K.H. Baek, Y.H. Ham, K.S. Park, D.P. Kim, G.W. Lee, H.D. Lee, K. Lee, L.M. Do, J. Nanosci. Nanotechnol., 12 (7), 5325 (2012). DOI: 10.1166/jnn.2012.6253
  11. Lassnig, B. Striedinger, M. Hollerer, A. Fian, B. Stadlober, A. Winkler, J. Appl. Phys., 116 (11), 114508 (2014). DOI: 10.1063/1.4895992
  12. Y.J. Lin, H.Y. Tsao, Microelectron. Eng., 149 (C), 57 (2016). DOI: 10.1016/j.mee.2015.09.014
  13. T. Siegrist, C. Besnard, S. Haas, M. Schiltz, P. Pattison, D. Chernyshov, B. Batlogg, C. Kloc, Adv. Mater., 19 (16), 2079 (2007). DOI: 10.1002/adma.200602072
  14. S. Jo, M. Takenaga, Jpn. J. Appl. Phys., 49 (7R), 078002 (2010). DOI: 10.1143/JJAP.49.078002
  15. A. Tsumura, H. Koezuka, T. Ando, Appl. Phys. Lett., 49 (18), 1210 (1986). DOI: 10.1063/1.97417
  16. L.G. Kudryashova, M.S. Kazantsev, V.A. Postnikov, V.V. Bruevich, Y.N. Luponosov, N.M. Surin, O.V. Borshchev, S.A. Ponomarenko, M.S. Pshenichnikov, D.Y. Paraschuk, ACS Appl. Mater. Interfaces, 8 (16), 10088 (2016). DOI: 10.1021/acsami.5b11967
  17. P. Nevcas, D. Klapetek, Gwiddion software [Электронный ресурс]. URL: http://gwyddion.net/
  18. D. Zotkin, A. Sizov, Probestation software: 1.13

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.