"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Свойства резистивных структур на основе полиморфных фаз оксида галлия
Калыгина В.М.1, Николаев В.И.2, Алмаев А.В.1, Цымбалов А.В.1, Петрова Ю.С.1, Печников И.А.3, Бутенко П.Н.3
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: kalygina@ngs.ru, nkvlad@inbox.ru, almaev_alex@mail.ru, zoldmine@gmail.com, petrovays@mail.ru, alpechn@yandex.ru, pavel@butneko.info
Поступила в редакцию: 16 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 30 мая 2020 г.
Принята к печати: 30 мая 2020 г.
Выставление онлайн: 29 июня 2020 г.

Рассмотрено влияние УФ-излучения и сильного электрического поля на вольт-амперные характеристики резистивных структур на основе полиморфных пленок оксида галлия (Ga2O3). Пленки Ga2O3 осаждались методом хлоридной газофазной эпитаксии (HVPE) на гладкие и структурированные сапфировые подложки с базисной ориентацией (0001). На гладких подложках растут пленки alpha-Ga2O3, а на структурированных --- пленки оксида галлия, содержащие alpha- и ε-фазы. В структурах металл/Ga2O3/металл на основе двухфазных пленок обнаружен эффект переключения. При воздействии излучения с λ=254 nm и сильного электрического поля структуры переходят из состояния с низким сопротивлением в состояние с высоким сопротивлением. Ключевые слова: оксид галлия, пленки, HVPE, полиморфизм, ультрафиолет, солнечно-слепые структуры.
  1. Lee S.-D., Ito Y., Kaneko K., Fujita S. // Jpn. J. Appl. Phys. 2015. V. 54. P. 030301. https://doi.org/10.7567/JJAP.54.030301
  2. Dakhel A.A. // Solid State Sci. 2013. V. 20. P. 54--58. https://doi.org/10.1016/j.solidstatesciences.2013.03.009
  3. Stepanov S.I., Nikolaev V.I., Bougrov V.E., Romanov A.E. // Rev. Adv. Mater. Sci. 2015. V. 44. P. 63--86
  4. Cora I., Mezzadri F., Boschi F., Bosi M., Caplovicova M., Calestani G., Dodony I., Pecza B., Fornari R. // CrystEngComm. 2017. V. 19. P. 1509--1516. https://doi.org/10.1039/C7CE00123A
  5. Guo D., Qin X., Lv M., Shi H., Su Y., Yao G., Wang S., Li C., Li P., Tang W. // Electron. Mater. Lett. 2017. V. 13. P. 483--488. https://doi.org/10.1007/s13391-017-7072-y
  6. Qian L., Wu Z., Zhang Y., Lai P., Liu X., Li Y. // ACS Photon. 2017. V. 4. P. 2203--2211. https://doi.org/10.1021/acsphotonics.7b00359
  7. Roberts J.W., Chalker P.R., Ding B., Oliver R.A., Gibbon J.T., Jones L.A.H., Dhanak V.R., Phillips L.J., Major L.J., Massabuau F.C. // J. Cryst. Growth. 2019. V. 528. P. 125254. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2019.125254
  8. Xia X., Chen Y., Feng Q., Liang H., Tao P., Xu M., Du G. // Appl. Phys. Lett. 2016. V. 108. P. 202103. https://doi.org/10.1063/1.4950867
  9. Son H., Choi Y., Hwang J., Jeon D. // ECS J. Solid State Sci. Technol. 2019. V. 8. P. Q3024-Q3027. https://doi.org/10.1149/2.0051907jss
  10. Xu Y., Zhang C., Cheng Y., Li Z., Cheng Y., Feng Q., Chen D., Zhang J., Hao Y. // Materials. 2019. V. 12. P. 3670. https://doi.org/10.3390/ma12223670
  11. Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Nikolaev V.V., Scheglov M.P., Chikiryaka A.V., Stepanov S.I., Medvedev O.S., Shapenkov S.V., Ubyivovk E.V., Vyvenko O.F. // J. Phys.: Conf. Ser. 2019. V. 1400. P. 055049. https://doi:10.1088/1742-6596/1400/5/055049
  12. Shapenkov S., Vyvenko O., Ubyivovk E., Medvedev O., Varygin G., Chikiryaka A., Pechnikov A., Scheglov M., Stepanov S., Nikolaev V. // Phys. Status Solidi A. First published: 14 February 2020. P. 1900892. https://doi.org/10.1002/pssa.201900892
  13. Cho S.B., Mishra R. // Appl. Phys. Lett. 2018. V. 112. P. 162101. https://doi.org/10.1063/1.5019721
  14. Mezzadri F., Calestani G., Boschi F., Delmonte D., Bosi M., Fornari R. // Inorgan. Chem. 2016. V. 55. P. 12079--12084. https://doi.org/10.1021/acs.inorgchem.6b02244

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.