"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Лимитирующие режимы роста III-V нитевидных нанокристаллов
РНФ, 19-72-30004
Дубровский В.Г.1,2, Соколовский А.С.3, Hijazi H.3
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: dubrovskii@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 19 мая 2020 г.
В окончательной редакции: 19 мая 2020 г.
Принята к печати: 28 мая 2020 г.
Выставление онлайн: 29 июня 2020 г.

Проведен теоретический анализ кинетики роста нитевидных нанокристаллов полупроводниковых соединений III-V по механизму пар-жидкость-кристалл при наличии конкуренции трех процессов: скорости осаждения элемента группы V; поступления в каплю атомов группы III с учетом поверхностной диффузии; нуклеации зародышей на границе жидкость-кристалл. Получено обобщенное выражение для скорости вертикального роста нитевидного нанокристалла, которое может быть лимитировано одним из трех указанных процессов. Проанализированы различные режимы роста с Au- и Ga-катализаторами в зависимости от потоков элементов групп III и V и радиуса нитевидного нанокристалла. Ключевые слова: III-V нитевидный нанокристалл, механизм роста пар-жидкость-кристалл, нуклеация, поверхностная диффузия, соотношение потоков V/III.
  1. Zhang A., Zheng G., Lieber C.M. Nanowires: building blocks for nanoscience and nanotechnology. Springer, 2016. 327 p
  2. Dubrovskii V.G. Theory of VLS growth of compound semiconductors // Semiconductors and semimetals / Eds A. Fontcuberta i Morral, S.A. Dayeh, C. Jagadish. Burlington: Academic Press, 2015. V. 93. P. 1--78
  3. Dimakis E., Jahn U., Ramsteiner M., Tahraoui A., Grandal J., Kong X., Marquardt O., Trampert A., Riechert H., Geelhaar L. // Nano Lett. 2014. V. 14. P. 2604--2609
  4. Cirlin G.E., Bouravleuv A.D., Soshnikov I.P., Samsonenko Yu.B., Dubrovskii V.G., Arakcheeva E.M., Tanklevskaya E.M., Werner P. // Nanoscale Res. Lett. 2010. V. 5. P. 360--363
  5. Wagner R.S., Ellis W.C. // Appl. Phys. Lett. 1964. V. 4. P. 89--90
  6. Matteini F., Dubrovskii V.G., Ruffer D., Tutuncuov glu G., Fontana Y., Fontcuberta i Morral A. // Nanotechnology. 2015. V. 26. P. 105603
  7. Glas F. // Phys. Rev. B. 2006. V. 74. P. 121302(R)
  8. Ng K.W., Ko W.S., Tran T.T.D., Chen R., Nazarenko M.V., Lu F., Dubrovskii V.G., Kamp M., Forchel A., Chang-Hasnain C.J. // ACS Nano. 2013. V. 7. P. 100--107
  9. Дубровский В.Г., Сибирев Н.В., Цырлин Г.Э. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. В. 16. С. 41--50
  10. Цырлин Г.Э., Дубровский В.Г., Сибирев Н.В., Сошников И.П., Самсоненко Ю.Б., Тонких А.А., Устинов В.М. // ФТП. 2005. Т. 39. В. 5. С. 587--594
  11. Dubrovskii V.G., Soshnikov I.P., Sibirev N.V., Cirlin G.E., Ustinov V.M. // J. Cryst. Growth. 2006. V. 289. P. 31--36
  12. Glas F., Ramdani M.R., Patriarche G., Harmand J.C. // Phys. Rev. B. 2013. V. 88. P. 195304
  13. Johansson J., Magnusson M.H. // J. Cryst. Growth. 2019. V. 525. P. 125192
  14. Dubrovskii V.G., Hervieu Yu.Yu. // J. Cryst. Growth. 2014. V. 401. P. 431--440
  15. Dubrovskii V.G. // J. Cryst. Growth. 2016. V. 440. P. 62--68
  16. Dubrovskii V.G., Grecenkov J. // Cryst. Growth Design. 2015. V. 15. P. 340--347
  17. Glas F. // J. Appl. Phys. 2010. V. 108. P. 073506
  18. Dubrovskii V.G. // Phys. Status Solidi B. 1992. V. 171. P. 345--356
  19. Glas F. // Phys. Status Solidi B. 2010. V. 247. P. 254--258
  20. Gao Q., Dubrovskii V.G., Caroff P., Wong-Leung J., Li L., Guo Y., Fu L., Tan H.H., Jagadish C. // Nano Lett. 2016. V. 16. P. 4361--4367

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.