Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2020, выпуск 17 » Статья стр. 21
<<<>>>
Вертикально-излучающий лазер спектрального диапазона 1.55 μm с туннельным переходом на основе слоев n++-InGaAs/p++-InGaAs/p++-InAlGaAs
DOI: 10.21883/PJTF.2020.17.49888.18393
Переводная версия: 10.1134/S1063785020090023
Блохин С.А. 1, Бобров М.А. 1, Малеев Н.А. 1, Блохин А.А. 2, Кузьменков А.Г. 2, Васильев А.П. 2, Рочас С.С. 3, Гладышев А.Г. 3,4, Бабичев А.В. 3,4, Новиков И.И. 3, Карачинский Л.Я. 3,4, Денисов Д.В. 5, Воропаев К.O.6,7, Ионов А.С.7, Егоров А.Ю. 3, Устинов В.М. 2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
4ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
5Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
6Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого, Великий Новгород, Россия
7АО «ОКБ-Планета», Великий Новгород, Россия
Email: blokh@mail.iioffe.ru, bobrov.mikh@gmail.com, Maleev@beam.ioffe.ru, bloalex91@yandex.ru, kuzmenkov@mail.ioffe.ru, vasiljev@mail.ioffe.ru, stanislav_rochas@corp.ifmo.ru, andrey.gladyshev@connector-optics.com, a.babichev@mail.ioffe.ru, Innokenty.Novikov@connector-optics.com, leonid.karachinsky@connector-optics.com, dmitry.denisov@connector-optics.com, voropaevko@okbplaneta.ru, ionovas@okbplaneta.ru, anton@beam.ioffe.ru, vmust@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 22 мая 2020 г.
В окончательной редакции: 22 мая 2020 г.
Принята к печати: 25 мая 2020 г.
Выставление онлайн: 29 июня 2020 г.
PDF версия
Предложена и апробирована конструкция туннельного перехода (ТП) на основе слоев n++-InGaAs/p++-InGaAs/p++-InAlGaAs для вертикально-излучающих лазеров (ВИЛ) спектрального диапазона 1.55 μm, реализованных по технологии спекания пластины с оптическим резонатором InAlGaAsP/InP и пластин с распределенными брэгговскими отражателями AlGaAs/GaAs. Наличие слоев InGaAs, устойчивых к окислению, позволяет использовать молекулярно-пучковую эпитаксию на всех этапах технологии изготовления ВИЛ, в том числе для заращивания поверхностного рельефа в слое ТП. При этом благодаря эффекту Бурштейна-Мосса в n++-InGaAs и минимизации толщины слоя p++-InGaAs удалось избежать роста внутренних оптических потерь. В результате характеристики изготовленных приборов сравнимы с характеристиками ВИЛ, использующих ТП n++/p++-InAlGaAs и имеющих аналогичный уровень потерь на вывод излучения. Ключевые слова: вертикально-излучающий лазер, спекание пластин, туннельный переход.
  1. Michalzik R. VCSELs: fundamentals, technology and applications of vertical-cavity surface-emitting lasers. Berlin: Springer-Verlag, 2013. 560 p
  2. Park M.-R., Kwon O.-K., Han W.-S., Lee K.-H., Park S.-J., Yoo B.-S. // IEEE Photon. Technol. Lett. 2006. V. 18. N 16. P. 1717--1719
  3. Karim A., Abraham P., Lofgreen D., Chiu Y.J., Piprek J., Bowers J. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 78. N 18. P. 2632--2633
  4. Syrbu A., Mircea A., Mereuta A., Caliman A., Berseth C.-A., Suruceanu G., Iakovlev V., Achtenhagen M., Rudra A., Kapon E. // IEEE Photon. Technol. Lett. 2004. V. 16. N 5. P. 1230--1232
  5. Ortsiefer M., Shau R., Bohm G., Kohler F. Amann M.-C. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 76. N 16. P. 2179--2181
  6. Hofmann W. // IEEE Photon. J. 2010. V. 2. N 5. P. 802--815
  7. Arzberger M., Lohner M., Bohm G., Amann M.-C. // Electron. Lett. 2000. V. 36. N 1. P. 87--88
  8. Ortsiefer M., Shau R., Bohm G., Kohler F., Abstreiter G., Amann M.-C. // Jpn. J. Appl. Phys. 2000. V. 39. Pt 1. N 4A. P. 1727--1729
  9. Spiga S., Soenen W., Andrejew A., Schoke D.M., Yin X., Bauwelinck J., Bom G., Amann M.C. // IEEE J. Lightwave Technol. 2017. V. 35. N 4. P. 727--733
  10. Ellafi D., Iakovlev V., Sirbu A., Suruceanu G., Mickovic Z., Caliman A., Mereuta A., Kapon E. // Opt. Express. 2014. V. 22. N 26. P. 32180
  11. Babichev A.V., Karachinsky L.Ya., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Blokhin S.A., Mikhailov S., Iakovlev V., Sirbu A., Stepniak G., Chorchos L., Turkiewicz J.P., Voropaev K.O., Ionov A.S., Agustin M., Ledentsov N.N., Egorov A.Y. // IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 2017. V. 53. N 6. P. 2400808
  12. Kapon E., Sirbu A. // Nature Photon. 2009. V. 3. N 1. P. 27--29.
  13. Блохин С.А., Бобров М.А., Блохин А.А., Кузьменков А.Г., Малеев Н.А., Устинов В.М., Колодезный Е.С., Рочас С.С., Бабичев А.В., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Денисов Д.В., Воропаев К.О., Ионов А.С., Егоров А.Ю. // Оптика и спектроскопия. 2019. Т. 127. В. 1. С. 145--149

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme