Вышедшие номера
Деформация элементарной ячейки при прерывистом напылении пленок ниобата бария-стронция
Переводная версия: 10.1134/S1063785019120149
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Государственное задание, 0120-1354-247
Совет по грантам Президента Российской Федерации для государственной поддержки молодых российских ученых и по государственной поддержке ведущих научных школ Российской Федерации, грант Президента, МК-4100.2018.2
Стрюков Д.В. 1, Павленко А.В. 1,2
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
2Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия
Email: strdl@mail.ru, AntVPR@mail.ru
Поступила в редакцию: 18 июля 2019 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.

Методом высокочастотного катодного распыления с применением технологии прерывистого напыления изготовлены эпитаксиальные тонкие пленки Sr0.5Ba0.5Nb2O6/MgO с различной толщиной слоев, но с одинаковой общей толщиной. Установлено, что уменьшение толщины слоя приводит к увеличению деформации элементарной ячейки, которая сохраняется, если толщина последующих слоев не превышает критическую. Ключевые слова: сегнетоэлектрики, прерывистое напыление, деформации элементарной ячейки.
  1. Мухортов В.М., Юзюк Ю.И. Гетероструктуры на основе наноразмерных сегнетоэлектрических пленок: получение, свойства и применение. Ростов н/Д: Изд-во ЮНЦ РАН, 2008. 224 с
  2. Schlom D.G., Chen L.-Q., Fennie C.J., Gopalan V., Muller D.A., Pan X., Ramesh R., Uecker R. // MRS Bull. 2014. V. 39. N 2. P. 118--130. DOI: 10.1557/mrs.2014.1
  3. Janolin P.-E. // J. Mater. Sci. 2009. V. 44. N 19. P. 5025--5048. DOI: 10.1007/s10853-009-3553-1
  4. Бирюков С.В., Головко Ю.И., Масычев С.И., Мухортов В.М. // Наука юга России. 2016. Т. 12. N 1. С. 11--15
  5. Kulkarni A.R., Patro P.K. // Trans. Indian Ceram. Soc. 2010. V. 69. N 3. P. 135--146. DOI: 10.1080/0371750x.2010.11090830
  6. Gupta S., Paliwal A., Gupta V., Tomar M. // Appl. Surf. Sci. 2018. V. 458. P. 139--144. DOI: 10.1016/j.apsusc.2018.07.039
  7. Кузьминов Ю.С. Сегнетоэлектрические кристаллы для управления лазерным излучением. М.: Наука, 1982. 400 с
  8. Толмачев Г.Н., Ковтун А.П., Захарченко И.Н., Алиев И.М., Павленко А.В., Резниченко Л.А., Вербенко И.А. // ФТТ. 2015. Т. 57. В. 10. С. 2050--2055
  9. Широков В.Б., Павленко А.В., Стрюков Д.В., Ревинский Ю.В. // ФТТ. 2018. Т. 60. В. 5. С. 993--998. DOI: 10.21883/FTT.2018.05.45801.228
  10. Lam K.K., Chan K.H., Ng S.M., Wong H.F., Liu Y.K., Leung C.W., Mak C.L. // Phys. Status Solidi A. 2018. V. 216. N 8. P. 1800660. DOI: 10.1002/pssa.201800660
  11. Podlozhenov S., Graetsch H.A., Schneider J., Ulex M., Whlecke M., Betzler K. // Acta Cryst. B. 2006. V. 62. P. 960--965. DOI: 10.1107/s0108768106038869
  12. Павленко А.В., Ковтун А.П., Зинченко С.П., Стрюков Д.В. // Письма в ЖТФ. 2018. Т. 44. В. 11. С. 30--37. DOI: 10.21883/PJTF.2018.11.46194.17257

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.