Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Упругое рассеяние нейтрального фтора на атомах Si, O, C и H в диапазоне относительных кинетических энергий 2-200 eV
Переводная версия: 10.1134/S1063785019120113 
Russian Foundation for Basic Research , Nanotechnology, 18-52-53017
National Natural Science Foundation of China, Nanotechnology, 81811530114
1Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия 
2Institute of Electronic Information Engineering, North China University of Technology, Beijing, China
2Institute of Electronic Information Engineering, North China University of Technology, Beijing, China
Email: a_palov@mail.ru
Поступила в редакцию: 28 июня 2019 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.
Бинарные межатомные потенциалы F-F, F-Si, F-O, F-C и F-H рассчитаны из первых принципов ( ab initio) на основе многоконфигурационного метода самосогласованного поля (CAS-SCF) с базисным набором атомных волновых функций aug-pp-AV6Z и использованы для расчета сдвигов фаз и сечений упругого рассеяния атомов в диапазоне относительных кинетических энергий 2-200 eV. Ожидается, что полученные сечения упругого рассеяния будут полезны для описания распыления и травления пористых органосиликатных пленок с этиленовыми мостиками, используемых в современной наноэлектронике. Ключевые слова: распыление, травление, фтор, органосиликатные стекла.
- IRDS Roadmap. https://irds.ieee.org/images/files/pdf/2017/2017IRDS\_MM.pdf
- Yim K.S., Mukherjee S., Xie B., Braaton E., Tong M., Ma J., Raj D., Padhi D. // Advanced Metallization Conf. Beijing, China: North China University, 2018. P. 2--1
- Nenashev R., Wang Y., Liu C., Kotova N., Vorotilov K., Zhang J., Wei Sh., Seregin D., Vishnevskiy A., Leu J., Baklanov M.R. // ECS J. Solid State Sci. Technol. 2017. V. 6. N 10. P. N182--N188
- Li H., Knaup J.M., Kaxiras E., Vlassak J.J. // Acta Mater. 2011. V. 59. N 1. P. 44--52
- Burg J.A., Oliver M.S., Frot T.J., Sherwood M., Lee V., Dubois G., Dauskardt R.H. // Nature Commun. 2017. V. 8. P. 1019 (1--8)
- Samukawa S., Sakamoto K., Ichiki K. // Jpn. J. Appl. Phys. 2001. V. 40. N 7B. Pt 2. P. L779--L782
- Aiello D., Pletnev V.V., Falcone G., Forlano L. // Nuovo Cimento D. 1994. V. 16. N 1. P. 75--88
- Ghorbani-Asl M., Kretschmer S., Spearot D.E., Krasheninnikov A.V. // 2D Mater. 2017. V. 4. N 2. P. 025078 (1--9)
- Palov A.P., Balint-Kurti G.G., Voronina E.N., Rakhimova T.V. // J. Vac. Sci. Technol. A. 2018. V. 36. N 4. P. 041303
- Werner H.-J., Knowles P.J., Knizia G., Manby F.R., Schutz M., Celani P., Korona T., Lindh R., Mitrushenkov A., Rauhut G., Shamasundar K.R., Adler T.B., Amos R.D., Bernhardsson A., Berning A., Cooper D.L., Deegan M.J.O., Dobbyn A.J., Eckert F., Goll E., Hampel C., Hesselmann A., Hetzer G., Hrenar T., Jansen G., Koppl C., Liu Y., Lloyd A.W., Mata R.A., May A.J., McNicholas S.J., Meyer W., Mura M.E., Nicklass A., O'Neill D.P., Palmieri P., Pfluger K., Pitzer R., Reiher M., Shiozaki T., Stoll H., Stone A.J., Tarroni R., Thorsteinsson T., Wang M., Wolf A. // MOLPRO. Version 2010.1. A package of ab initio programs. 2010
- Woon D.E., Dunning T.H., Jr. // J. Chem. Phys. 1993. V. 98. N 2. P. 1358--1371
- Balint-Kurti G.G., Palov A.P. The theory of molecular collisions. Cambridge: Royal Society of Chemistry, 2015. 294 p
- Bernstein R.B. // J. Chem. Phys. 1960. V. 33. N 3. P. 795--804
- Sadovnichy V., Tikhonravov A., Voevodin Vl., Opanasenko V. // "Lomonosov": Supercomputing at Moscow State University // Contemporary high-performance computing: from petascale toward exascale. Ser. Chapman \& Hall/CRC Computational Science. Boca Raton: CRC Press, 2013. P. 283--307
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
