"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Экспериментальные исследования динамики распространения включенного состояния низковольтных лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs
Переводная версия: 10.1134/S1063785019040254
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), мол_а, 18-38-00906
Гаврина П.С. 1, Соболева О.С. 1, Подоскин А.А. 1, Романович Д.Н. 1, Головин В.С.1, Слипченко С.О. 1, Пихтин Н.А. 1, Багаев Т.А. 2, Ладугин М.А.2, Мармалюк А.А.2, Симаков В.А.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2АО "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
Email: gavrina@mail.ioffe.ru, soboleva@mail.ioffe.ru, podoskin@mail.ioffe.ru, Romanovich@mail.ioffe.ru, SergHPL@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 декабря 2018 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2019 г.

Предложена методика определения пространственно-временной динамики тока в полупроводниковых гетероструктурах, основанная на модуляции внешнего излучения при прохождении через исследуемый кристалл. Апробация методики проведена на полупроводниковых лазерах-тиристорах на основе гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs. Продемонстрировано качественное совпадение результатов эксперимента с результатами предыдущих измерений пространственно-временной динамики в приборе.
  • Hempel M., Tomm J.W. // Novel in-plane semiconductor lasers XIII. International Society for Optics and Photonics, 2014. V. 9002. P. 90021H. DOI: 10.1117/12.2035488
  • Pogany D., Dubec V., Bychikhin S., Furbock C., Litzenberger A., Groos G., Stecher M., Gornik E. // IEEE Electron Dev. Lett. 2002. V. 23. N 10. P. 606--608. DOI: 10.1109/LED.2002.803752
  • Pogany D., Bychikhin S., Furbock C., Litzenberger M., Gornik E., Groos G., Esmark K., Stecher M. // IEEE Trans. Electron Dev. 2002. V. 49. N 11. P. 2070--2079. DOI: 10.1109/TED.2002.804724
  • Haberfehlner G., Bychikhin S., Dubec V., Heer M., Podgaynaya A., Pfost M., Stecher M., Gornik E., Pogany D. // Microelectron. Reliab. 2009. V. 49. N 9-11. P. 1346--1351. DOI: 10.1016/j.microrel.2009.07.032
  • Левинштейн М.Е., Пожела Ю.К., Шур М.С. Эффект Ганна. М.: Сов. радио, 1975. 288 с
  • Кернер Б.С., Синкевич В.Ф. // Письма в ЖЭТФ. 1982. Т. 36. В. 10. С. 359--362
  • Сергеев В.А., Куликов А.А. // Радиоэлектронная техника. 2012. N 1. С. 66--72
  • Вайнштейн С.Н., Жиляев Ю.В., Левинштейн М.Е. // Письма в ЖТФ. 1988. Т. 14. В. 16. С. 1526--1530
  • Vainshtein S., Yuferev V., Palankovski V., Ong D.S., Kostamovaara J. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 92. N 6. P. 062114. DOI: 10.1063/1.2870096
  • Slipchenko S.O., Podoskin A.A., Soboleva O.S., Pikhtin N.A., Bagaev T.A., Ladugin M.A., Marmalyuk А.А., Simakov V.A., Tarasov I.S. // J. Appl. Phys. 2017. V. 121. N 5. P. 054502. DOI: 10.1063/1.4975411
  • Веселов Д.А., Пихтин Н.А., Лютецкий А.В., Николаев Д.Н., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Шамахов В.В., Шашкин И.С., Воронкова Н.В., Тарасов И.С. // Квантовая электроника. 2015. Т. 45. N 7. С. 604--606
  • Slipchenko S.O., Podoskin A.A., Pikhtin N.A., Tarasov I.S., Gorbatyuk A.V. // IEEE Trans. Electron Dev. 2015. V. 62. N 1. P. 149--154. DOI: 10.1109/TED.2014.2372317
  • Yuferev V.S., Podoskin A.A., Soboleva O.S., Pikhtin N.A., Tarasov I.S., Slipchenko S.O. // IEEE Trans. Electron Dev. 2015. V. 62. N 12. P. 4091--4096. DOI: 10.1109/TED.2015.2483371
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.