Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2019, выпуск 5 » Статья стр. 9
<<<>>>
Исследование влияния радиации на рекомбинационные потери в гетеропереходных солнечных элементах на основе монокристаллического кремния
DOI: 10.21883/PJTF.2019.05.47388.17612
Переводная версия: 10.1134/S106378501903012X
Панайотти И.Е.1, Теруков Е.И.2,3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: panaiotti@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 ноября 2018 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2019 г.
PDF версия
Разработан метод численной оценки роста рекомбинационных потерь в кремниевых гетеропереходных солнечных элементах вследствие радиационного воздействия. Расчеты основаны на анализе экспериментальных значений токов короткого замыкания. Предложенная модель позволяет оценивать степень деградации полупроводниковых структур путем вычисления уменьшения объемного времени жизни и диффузионной длины носителей заряда. Полученные результаты имеют практическую ценность для изучения возможности эксплуатации данного типа солнечных элементов в космических условиях.
  1. Yamamoto K., Yoshikawa K., Yoshida W., Irie T., Kawasaki H., Konishi K., Asatani T., Kanematsu M., Mishima R., Nakano K., Uzu H., Adachi D. High efficiency alpha-Si/c-Si heterojunction solar cells // Program Book. 27th Int. Conf. on amorphous and nanocrystalline semiconductors. Seoul, Korea, 2017. P. 92
  2. Миличко В.А., Шалин А.С., Мухин И.С., Ковров А.Э., Красилин А.А., Виноградов А.В., Белов П.А., Симовский К.Р. // УФН. 2016. Т. 186. N 8. С. 801--852
  3. Калиновский В.С., Теруков Е.И., Контрош Е.В., Вербицкий В.Н., Титов А.С. // Письма в ЖТФ. 2018. Т. 44. В. 17. С. 95--102
  4. Саченко А.В., Шкребтий А.И., Коркишко Р.М., Костылев В.П., Кулиш Н.Р., Соколовский И.О. // ФТП. 2015. Т. 49. В. 2. С. 271--277
  5. Sze S.M. Physics of semiconductor devices. John Wiley \& Sons, 1981. Ch. 14.2. [ Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Пер. с англ. М.: Мир, 1984. Кн. 2. Гл. 14.2.]
  6. Саченко А.В., Крюченко Ю.В., Костылев В.П., Соколовский И.О., Абрамов А.С., Бобыль А.В., Панайотти И.Е., Теруков Е.И. // ФТП. 2016. Т. 50. В. 2. С. 259--263
  7. Андреев В.М., Евстропов В.В., Калиновский В.С., Лантратов В.М., Хвостиков В.П. // ФТП. 2009. Т. 43. В. 5. С. 671--678. 

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme