Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Микроволновый криогенный малошумящий гетероструктурный SiGe усилитель
1Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия 
2Department of Experimental Physics, Comenius University, S Bratislava, Slovakia
3Institute of Physics, Slovak Academy of Science, 845 11 Bratislava, Slovakia
4Leibniz Institute of Photonic Technology, P.O. Box, Jena, Germany
2Department of Experimental Physics, Comenius University, S Bratislava, Slovakia
3Institute of Physics, Slovak Academy of Science, 845 11 Bratislava, Slovakia
4Leibniz Institute of Photonic Technology, P.O. Box, Jena, Germany
Email: boris_ivanov@ngs.ru
Поступила в редакцию: 20 ноября 2015 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2016 г.
Для измерения слабых микроволновых сигналов в субкельвиновых температурах был разработан малошумящий криогенный усилитель. Основу усилителя составляют пять каскадов на основе SiGe биполярных гетероструктурных транзисторов. Усилитель имеет коэффициент усиления 35 dB в полосе частот от 100 MHz до 4 GHz при рабочей температуре 800 mK. В качестве примера применения усилителя приводятся характеристики сверхпроводникового квантового бита, измеренные на основе разработанного усилителя в режиме сверхмалой мощности. Показана амплитудно-частотная характеристика структуры сверхпроводниковый кубит-копланарный резонатор. Приведена характеристика основного состояния кубита в квазидисперсном режиме измерения.
- Schleeh J., Alestig G., Halonen J. et al. // IEEE Electr. Dev. Lett. 2012. V. 33. N 5. P. 664--666
- Wadefalk N., Mellberg A., Angelov I. et al. // IEEE Trans. Microwave Theor. Tech. 2003. V. 51. N 6. P. 1705
- Pospieszalski M.W., Weinreb S. et al. // IEEE Trans. Microwave Theor. Techn. 1988. V. 36. N 3. P. 552--560
- Oukhanski N., Grajcar M., Il'ichev E. et al. // Rev. Sci. Instrum. 2003. V. 74. N 2. 1145
- Wuensch S., Ortlepp Th., Crocoll E. et al. // IEEE Trans. Appl. Supercond. 2004. V. 19. N 3. P. 574
- Kiviranta M. // Supercond. Sci. Technol. 2006. V. 19. P. 1297--1302
- Thrivikraman T.K., Yuan J., Bardin J.C. et al. //. IEEE Microwave Wireless Comps. Lett. 2008. V. 18. N 7. P. 476
- Ivanov B.I., Trgala M., Grajcar M. et al. // Rev. Sci. Instrum. 2011. V. 82. 104 705
- Lee J., Cressler J. // IEEE Trans. Microwave Theor. Techn. 2006. V. 54. N 3. P. 1262--1268
- Bardin J.C., Weinreb S. // IEEE Microwave and Wireless Comps. Lett. 2009. V. 19. N 6. P. 407
- Berger O. // The International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology 1999. http://www.gaas.org/Digests/1999/PDF/59.pdf
- Macha P., van der Ploeg S.H.W., Oelsner G. et al. // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 96. 062 503
- Oelsner G., van der Ploeg S.H.W., Macha P. et al. // Phys. Rev. B. 2010. V. 81. 172 505
- Greenberg Ya.S., Izmalkov A., Grajcar M. et al. // Phys. Rev. B. 2002. V. 66. 224 511
- Grajcar M., Izmalkov A., Il'ichev E. // Phys. Rev. B. 2005. V. 71. 144 501
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
