Вышедшие номера
Твердофазные взаимодействия в контактных структурах на основе TiBx--GaAs, подвергнутых быстрым термическим отжигам
Миленин В.В.1, Конакова Р.В.1
1Институт физики полупроводников НАН Украины, Киев
Поступила в редакцию: 13 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2001 г.

Исследованы межфазные взаимодействия в исходных и отожженных в вакууме при T=500oC в течение 1 h контактах TiBx-GaAs. Обнаружено, что термообработка приводит к трансформации структуры переходного слоя, включающего в свой состав тернарные фазы BxGa1-xAs и TixGa1-xAs. Предложен физический механизм наблюдаемых структурных превращений.
  1. Венгер Е.Ф., Конакова Р.В., Коротченков Г.С., Миленин В.В., Руссу Э.В., Прокопенко И.В. Межфазные взаимодействия и механизмы деградации в структурах металл--InP и металл--GaAs. Киев: КТНК, 1999. 233 с
  2. Eрмолович И.Б., Конакова Р.В., Миленин В.В., Сенкевич А.И. // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. В. 19. С. 71--76
  3. Венгер Е.Ф., Миленин В.В., Ермолович И.Б., Конакова Р.В., Иванов В.Н., Войциховский Д.И. // ФТП. 1999. Т. 33. В. 8. С. 948--953
  4. Wada O., Yanagisawa S., Takanashi H. // Appl. Phys. Letters. 1976. V. 29. N 4. P. 263--265
  5. MaCants C.E., Kendelewicz T., Mahowald P.H., Bertness R.A., Williams M.D., Newman N., Lindau I., Spicer W.E. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1988. V. 6. N 3. P. 1466--1472
  6. Ki Bum Kim, Kniffin M., Sinclair R., Helms C.R. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1988. V. 6. N 3. P. 1473--1477
  7. Ормонт Б.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. М.: Высшая школа, 1968. 488 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.