Вышедшие номера
Фоновое легирование пленок при молекулярно-лучевой эпитаксии кремния
Кантер Б.З.1, Никифоров А.И.1, Пчеляков О.П.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 14 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 января 1998 г.

Выполнен анализ и обобщены уникальные результаты, полученные при создании эпитаксиальных слоев кремния с предельно низкой концентрацией фоновых примесей для ИК-фотоприемников с блокированной примесной фотопроводимостью. Исследован процесс изменения типа и концентрации электрически активных фоновых примесей в пленках, полученных при молекулярно-лучевой эпитаксии на всех этапах эксплуатации установки: от первого запуска до получения пленок с предельно низким уровнем фоновой примеси <4· 1013 cm-3. Установлены закономерности и механизм изменения типа и уровня фонового легирования при работе установки.
  1. Hieser J.E., Brock F.J. // J. Vac. Sci. Technol. 1976. V. 13. N 3. P. 702--710
  2. Ignatiev A. // Earth Space Revew. 1995. V. 2. N 2. P. 10--17.
  3. Pchelyakov O.P., Sokolov L.V., Nikiforov A.I., Berzhaty V.I., Zvorikin L.L., Ivanov A.I., Nikitsky V.P., Antropov V.Yu., Biriukov V.M., Markov E.V., Djakov Yu.N. // Joint X European and VI Russian Symp. on Physical Sciences in Microgravity. St. Petersburg. June, 1997. P. 119.
  4. Валиев К., Орликовский А. // Электроника. Наука. Технология. Бизнес. 1996. N 5-6. С. 3--10
  5. Ishizaka A., Nakagawa K., Shiraki Y. // Jap. Journ. Appl. Phys. Tokyo, 1982. P. 183--186
  6. Андреев А.Ю., Гудкова Н.В., Кузнецов В.П., Красильников В.С., Рубцова Р.А., Толомасов В.А. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1988. Т. 24. N 9. С. 1423--1426
  7. Rzanov A.V., Stenin S.I., Pchelyakov O.P., Kanter B.Z. // Thin Solid Films. 1986. V. 139. N 2. P. 169--175

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.