Вышедшие номера
Исследование свойств тонких пленок CuGaTe2
Боднарь И.В.1,2, Гременок В.Ф.1,2, Викторов И.А.1,2, Криволап Д.Д.1,2
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2Институт физики твердого тела и полупроводников, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 11 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 января 1998 г.

Методом импульсного лазерного напыления получены тонкие пленки тройного соединения CuGaTe2. Рентгеновским методом определена их структура и параметры элементарной ячейки. По спектрам пропускания в области края основной полосы поглощения определены энергии межзонных оптических переходов и рассчитаны величины кристаллического (Deltaкр) и спин-орбитального (Deltaсо) расщепления.
  1. Коутс Т., Микин Дж. // Современные проблемы полупроводниковой фотоэнергетики. М.: Мир, 1988. С. 307
  2. Боднарь И.В. // Неорганические материалы. 1991. Т. 27. С. 2068--2071
  3. Bodnar I.V., Orlova N.S. // Cryst. Res. Technol. 1986. V. 21. N 8. P. 1091--1095
  4. Bodnar I.V., Gremenok V.F., Zaretskaya E.P., Victorov I.A. // Thin Solid Films. 1992. V. 207. N 1. P. 54--56
  5. Masse G., Djessas K., Yarzhou // J. Appl. Phys. 1993. V. 74. P. 1370--1381
  6. Shay J.L., Wernick J.H. // Ternary Chalcopyrite Semiconductors: Growth, Electronic Properties and Applications. Pergamon Press, Oxford, 1975. P. 244
  7. Shay J.I., Tell B., Kasper H.M., Shiovane L.M. // Phys. Rev. (B). 1972. V. 5. N 12. P. 5003--5005

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.