"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Суперлюминесценция в двойной гетероструктуре AlGaAsSb/InGaAsSb/AlGaAsSb
Моисеев К.Д.1, Михайлова М.П.1, Андрейчук О.В.1, Саморуков Б.Е.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 февраля 1997 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1997 г.

Впервые наблюдалась интенсивная электролюминесценция в двойной гетероструктуре AlGaAsSb/In0.9Ga0.1As0.89Sb0.21/AlGaAsSb в спектральном диапазоне длин волн 3--4 мкм при T=77 K. Исследуемая структура была выращена на подложке GaSb методом жидкофазовой эпитаксии. Энергия фотона в максимуме узкой полосы излучения с полушириной 9-10 мэВ составляла hnu=387 мэВ и на 60 мэВ превышала ширину запрещенной зоны узкозонного твердого раствора InGaAsSb (Eg=326 мэВ), что связывается с особенностями инверсной заселенности активной области гетероструктуры при приложении внешнего смещения.
  • Choi H.K., Eglash S.J., Turner G.W. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. P. 812--814
  • Данилова Т.Н., Ершов О.Г., Именков А.Н., Степанов М.В., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. // ФТП. 1995. Т. 30. С. 1265--1271
  • Hasenberg T.C., Cost A., Miles R. et al. // Electr. Lett. 1995. V. 31. P. 275--276
  • Yakovlev Yu.P., Moiseev K.D., Mikhailova M.P., Ershov O.G., Zegrya G.G. Technical Digest CLEO-96, Anaheim, USA, June 2--7, 1996. P. 170--171
  • Nadezhdinski A., Prokhorov A.M. // Proc. SPIE. 1992. V. 1724. P. 2--64
  • Choi H.K., Turner G.W., Liau Z.L. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 65. P. 2251--2253
  • Баранов А.Н., Литвак А.М., Моисеев К.Д., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. // ЖПХ. 1994. Т. 67. С. 1956--1964
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.