Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Длинноволновая лазерная генерация в структурах на основе квантовых ям InGaAs(N) на подложках GaAs
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: vovaod@pop.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 25 декабря 2002 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2003 г.
Проведена оптимизация режимов выращивания методом молекулярно-пучковой эпитаксии лазерных структур на основе квантовых ям InGaAs(N)/GaAs с высоким содержанием индия. Продемонстрирована длинноволновая низкопороговая генерация при комнатной температуре в структурах на основе одиночных квантовых ям InGaAs и InGaAsN. Достигнутые пороговые плотности тока и длина волны генерации составили 60 A/cm2 и 1.085 mum и 350 A/cm2 и 1.295 mum для лазеров на основе квантовой ямы In0.35GaAs и In0.35GaAsN0.023 соответственно.
- Ustinov V.M., Zhukov A.E. // Semicond. Sci. Technol. 2000. V. 15. R41
- Egorov A.Yu. et al. // Journal of Crystal Growth. 2001. V. 227--228. P. 545--552
- Kovsh A.R. et al. // Electron. Lett. 2002. V. 38. N 19. P. 1104--1106
- Maleev N.A. et al. Semiconductors. 2001. V. 35 (7). P. 847--853
- Lott J.A. et al. // Electr. Lett. 2000. V. 36 (5). P. 1384
- Kovsh A.R. et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. May/June 2002. V. 20. N 3. P. 1158--1162
- Chand N. et al. // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 58 (20). P. 1704--1706
- Kageyama T. et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 1999. Part 2. V. 38. L 298
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
