Вышедшие номера
Запись доменов электронным лучом на поверхности +Z-срезов ниобата лития
Емелин Е.В.1, Ильин А.И.1, Коханчик Л.С.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия
Email: mlk@iptm.ru
Поступила в редакцию: 7 августа 2012 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2013 г.

С помощью электронного луча осуществлено переключение спонтанной поляризации на поверхности +Z-срезов кристаллов ниобата лития разного состава. Домены размером 100-200 nm формировались в тонком поверхностном слое, толщина которого зависела от энергии первичных электронов. Размеры участков, на которых формировались субмикронные домены, превышали размеры области облучения. В кристаллах разного состава распределение доменов на поверхности было различным и зависело от способа перемещения электронного луча и условий облучения. Результаты обсуждаются в свете представлений о зарядке диэлектрических материалов электронным лучом. Предполагается, что спонтанную поляризацию в поверхностном слое +Z-срезов ниобата лития переключает поле двойного слоя зарядов, формирующегося в результате зарядового процесса вблизи поверхности.
  1. A.C.G. Nutt, V. Gopalan, M.C. Gupta. Appl. Phys. Lett. 60, 2828 (1992)
  2. C. Restoin, S. Massy, C. Darraud-Taupiac, A. Barthelemy. Opt. Mater. 22, 3, 193 (2003)
  3. J. He, S.H. Tang, Y.Q. Qin, P. Dong, H.Z. Zhang, C.H. Kang, W.X. Sun, Z.X. Shen. J. Appl. Phys. 93, 9943, (2003)
  4. J-W. Son, Y. Yuen, S.S. Orlov, L. Hesselink. Otp. Soc. Am. Photerefract. Eff. Mater. Devices 99, 756 (2005)
  5. L.S. Kokhanchik, M.N. Palatnikov, O.B. Shcherbina. Phase Trans. 84, 9--10, 797 (2011)
  6. Л.С. Коханчик, М.В. Бородин, С.М. Шандаров, Н.И. Буримов, В.В. Щербина, Т.Р. Волк. ФТТ 52, 1602 (2010)
  7. O. Norio, I. Takashi. J. Appl. Phys. 46, 1063 (1975)
  8. V.A. Dyakov, I.V. Yaminsky, D.Yu. Gavrilko, N.F. Evlanova, I.I. Naumova, V.Ya. Schur. Ferroelectrics 341, 131 (2006)
  9. В.Я. Шур, Д.В. Кузнецов, А.И. Лобов, Д.В. Пелегов, Е.В. Пелегова, В.В. Осипов, М.Г. Иванов, А.Н. Орлов. ФТТ, 50, 4, 689 (2008)
  10. C.E. Valdivia, C.L. Sones, J.G. Scott, S. Mailis, R.W. Eason, D.A. Scrymgeour, V. Gopalan, T. Jungk, E. Soergel, I. Clark. Appl. Phys. Lett. 86, 022 906 (2005)
  11. Z.G. Song, C.K. Ong, H. Gong. J. Appl. Phys. 79, 7123, (1996)
  12. J. Cazaux. J. Appl. Phys. 85, 1137 (1999)
  13. M. Touzin, D. Goeuriot, C. Guerret-Piecourt, D. Juve, D. Treheux, H.-J. Fitting. J. Appl. Phys. 99, 114 110 (2006)
  14. Э.И. Рау, Е.Н. Евстафьева, М.В. Андрианов. ФТТ 50, 599 (2008)
  15. S. Fakhfakh, O. Jbara, S. Rondot, A. Hadjadj, J.M. Patat, Z. Fakhfakh. J. Appl. Phys. 108, 093 705 (2010)
  16. И.М. Бронштейн, Б.С. Фрайман. Вторичная электронная эмиссия. Наука, М. (1969). 408 с
  17. T. Volk, M. Wohlecke. Lithium niobate: defects, photorefraction and ferroelectric switching. Springer-Verlag, Berlin (2008). 240 p
  18. A.E. Grun, Z. Naturforsch. A 12, 89 (1957)
  19. D.B. Wittry, D.F. Kyser. J. Appl. Phys. 38, 375 (1967)
  20. Practical scanning electron microscopy / Eds J. Goldstein, H. Yakowitz. Plenum Press, N.Y. (1975). 582 p
  21. Y. Chen, W. Yan, J. Guo, S. Chen, G. Zhang, Z. Xia. Appl. Phys. Lett. 87, 212 904 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.